搜索
高级检索
高级搜索
书       名 :
著       者 :
出  版  社 :
I  S  B  N:
文献来源:
出版时间 :
氮化镓单晶材料生长与应用(精)/宽禁带半导体前沿丛书
0.00     定价 ¥ 128.00
图书来源: 浙江图书馆(由浙江新华配书)
此书还可采购25本,持证读者免费借回家
  • 配送范围:
    浙江省内
  • ISBN:
    9787560664668
  • 作      者:
    编者:徐科|责编:武翠琴//陈婷
  • 出 版 社 :
    西安电子科技大学出版社
  • 出版日期:
    2022-11-01
收藏
内容介绍
氮化镓单晶材料生长与应用正在快速发展,本书以作者所在团队多年来的研究工作为基础,并作了大量扩展和补充,呈现了该领域的最新研究成果。具体来说,本书分八章内容详细介绍了氮化镓单晶材料生长的基本原理、技术方法、发展现状及应用趋势。 本书系统性强,有较完整的专业知识讲解,实验数据丰富。虽然本书所涉及内容没有涵盖氮化镓单晶材料生长的全部内容,但具有典型性、扼要性、前瞻性。本书可供从事氮化镓单晶材料生长相关研究的科研和工程技术人员阅读参考,也可作为高等院校相关专业领域研究生和高年级本科生的参考教材。
展开
目录
第1章 氮化镓单晶材料概述
1.1 氮化镓晶体结构及其极性
1.1.1 纤锌矿结构
1.1.2 晶体极性
1.1.3 能带结构
1.2 氮化镓晶体缺陷
1.2.1 点缺陷
1.2.2 位错
1.2.3 层错
1.2.4 倒反畴界
1.3 氮化镓材料特性
1.3.1 光学特性
1.3.2 电学特性
1.3.3 热学特性
参考文献

第2章 氮化镓单晶材料生长的基本特性
2.1 生长动力学特性
2.1.1 热力学驱动力
2.1.2 传质输运
2.1.3 晶体生长机制
2.1.4 晶体生长形态
2.2 位错的产生与湮灭
2.2.1 失配位错产生机理
2.2.2 穿透位错
参考文献

第3章 氮化镓单晶制备的方法——氢化物气相外延生长法
3.1 发展历程
3.2 生长原理及装备
3.2.1 基本原理
3.2.2 HVPE生长过程的研究
3.2.3 HVPE反应器的分类及研究现状
3.3 应力及缺陷控制
3.3.1 应力控制
3.3.2 缺陷控制
3.4 掺杂技术
3.4.1 非故意掺杂
3.4.2 Si掺杂
3.4.3 Ge掺杂
3.4.4 半绝缘掺杂
3.5 氮化镓单晶衬底分离技术
3.5.1 自分离工艺
3.5.2 激光剥离
3.6 发展趋势
参考文献
……

第4章 氮化镓单晶制备的方法——氨热法
第5章 氮化镓单晶制备的方法——助熔剂法
第6章 氮化镓单晶同质外延生长技术
第7章 氮化镓单晶材料的应用——光电器件
第8章 氮化镓单晶材料的应用——电力电子和微波射频器件
展开
加入书架成功!
收藏图书成功!
我知道了(3)
发表书评
读者登录

请选择您读者所在的图书馆

选择图书馆
浙江图书馆
点击获取验证码
登录
没有读者证?在线办证