第1章 绪论
参考文献
第2章 金刚石的表面终端
2.1 氢终端金刚石表面
2.2 氧终端金刚石表面
2.3 氟终端金刚石表面
2.4 氮终端金刚石表面
参考文献
第3章 氢终端金刚石场效应管的原理和优化
3.1 氢终端金刚石表面导电沟道
3.1.1 氢终端金刚石表面导电沟道的形成机理
3.1.2 氢终端金刚石表面p型电导特性
3.1.3 氢终端金刚石表面空穴的输运特性
3.2 氢终端金刚石场效应管的工作原理
3.2.1 栅极结构和特性
3.2.2 器件结构与工作原理
3.3 氢终端金刚石场效应管特性的仿真研究
3.3.1 金刚石场效应管的仿真模型设置
3.3.2 金刚石器件微波功率特性的仿真研究
参考文献
第4章 金刚石微波功率器件
4.1 金刚石微波功率器件常用结构
4.1.1 金刚石MESFET器件结构
4.1.2 金刚石MISFET器件结构
4.2 金刚石微波功率器件的制备工艺流程
4.2.1 金掩膜工艺
4.2.2 后制备氢终端工艺
4.3 金刚石微波功率器件的电极接触
4.3.1 欧姆接触
4.3.2 肖特基接触
4.4 金刚石微波功率器件性能测试分析
4.4.1 直流特性
4.4.2 频率特性
4.4.3 输出功率特性
参考文献
第5章 基于各种介质的氢终端金刚石MOSFET
5.1 氧化钼
5.1.1 国外研究进展
5.1.2 MoO3/单晶金刚石MOSFET器件研究
5.1.3 MoO3/多晶金刚石MOSFET器件研究
5.2 氧化铝
5.2.1 国际研究进展
5.2.2 基于不同温度ALD-Al2O3介质的金刚石MOSFET研究
5.2.3 基于300℃ALD-Al2O3介质的器件优化
5.2.4 300℃ALD-Al2O3/氢终端金刚石的能带结构
5.3 氧化铪
5.3.1 国外研究进展
5.3.2 国内的HfO2/氢终端金刚石MOSFET器件研究
5.4 铁电介质
5.4.1 国外的铁电介质/金刚石MOSFET器件研究进展
5.4.2 铁电HZO栅金刚石MOSFET研究
参考文献
第6章 金刚石高压二极管
6.1 金刚石SBD的基本原理
6.2 SBD的结构与优化
6.3 金刚石SBD的新进展
6.4 其他金刚石高压二极管
6.4.1 金刚石肖特基pn结二极管
6.4.2 金刚石pin结二极管
参考文献
第7章 石墨烯/金刚石复合器件
7.1 石墨烯的结构与性质
7.1.1 石墨烯的原子结构
7.1.2 石墨烯的物理和化学性质
7.1.3 石墨烯的带隙打开机理
7.1.4 石墨烯中的缺陷
7.2 石墨烯/金刚石复合技术
7.2.1 金刚石表面直接转变成石墨烯
7.2.2 金刚石表面催化形成石墨烯
7.3 石墨烯/金刚石复合器件
7.3.1 石墨烯/金刚石表面导电性
7.3.2 衬底的光学声子能量对石墨烯器件性能的影响
7.3.3 衬底的热导率对石墨烯器件性能的影响
参考文献
第8章 金刚石半导体器件的展望
8.1 金刚石表面电导FET
8.2 金刚石体掺杂结型器件
8.3 金刚石器件发展面临的其他问题
参考文献
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