1. 本书概况
极紫外光刻是光刻里最先进的技术，它是7nm及以下芯片制造的最核心的技术关键。本书综合地介绍了极紫外光刻技术相关联的各个重要方面及其发展历程，不仅论述了极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻的技术内容，而且还讨论了极紫外光刻生态系统的其他重要方面。
2.本书特色
（1）本书是一本论述极紫外光刻技术的Z新的专著，有关极紫外光刻技术许多Z新的研发内容都有所介绍和讨论。
（2）目前尚没有一本中文版的有关极紫外光刻技术的专门论著或译著，对于从事芯片领域的从业技术人员，这是一本非常及时且内容丰富的参考书。
（3）本书从内容上看新颖又全面，从形式上看详实又精炼。
第1章 绪论
1.1 光刻技术的历史背景/1
1.2 光刻技术的组成部分 /3
1.3 材料考量和多层膜反射镜/4
1.4 一般性问题 /11
习题/12
参考文献/12
第2章 EUV光源
2.1 激光等离子体光源/15
2.2 放电等离子体光源/28
2.3 自由电子激光器/32
习题/36
参考文献/36
第3章 EUV光刻曝光系统
3.1 真空中的EUV光刻/40
3.2 照明系统 /45
3.3 投影系统/47
3.4 对准系统/52
3.5 工件台系统/53
3.6 聚焦系统 /54
习题/55
参考文献/56
第4章 EUV掩模
4.1 EUV掩模结构/60
4.2 多层膜和掩模基板缺陷/66
4.3 掩模平整度和粗糙度/71
4.4 EUV掩模制作/74
4.5 EUV掩模保护膜/75
4.6 EUV掩模放置盒/83
4.7 其他EUV掩模吸收层与掩模架构/85
习题/88
参考文献/88
第5章 EUV光刻胶
5.1 EUV化学放大光刻胶的曝光机制/95
5.2 EUV光刻中的随机效应/98
5.3 化学放大光刻胶的新概念/108
5.4 金属氧化物EUV光刻胶/110
5.5 断裂式光刻胶/111
5.6 真空沉积光刻胶/111
5.7 光刻胶衬底材料/113
习题/114
参考文献/115
第6章 EUV计算光刻
6.1 传统光学邻近校正的考量因素/121
6.2 EUV掩模的三维效应/125
6.3 光刻胶的物理机理/133
6.4 EUV光刻的成像优化/135
习题/138
参考文献/139
第7章 EUV光刻工艺控制
7.1 套刻/144
7.2 关键尺寸控制/149
7.3 良率 / 151
习题/155
参考文献/156
第8章 EUV光刻的量测
8.1 掩模基板缺陷检测/160
8.2 EUV掩模测评工具/163
8.3 量产掩模验收工具/165
8.4 材料测试工具/168
习题/169
参考文献/170
第9章 EUV光刻成本
9.1 晶圆成本 /173
9.2 掩模成本/181
习题/182
参考文献/182
第10章 未来的EUV光刻
10.1 k【能走多低/184
10.2 更高的数值孔径/186
10.3 更短的波长/193
10.4 EUV多重成形技术/194
10.5 EUV光刻的未来/195
习题/195
参考文献/196
索 引
