薄膜晶体管（TFT）是一种金属-绝缘层-半导体场效应管，迄今已经历了60年的发展，在原理与技术方面的创新层出不穷。本书首先概述TFT的物理基础及典型薄膜工艺原理；接着以氢化非晶硅、低温多晶硅、金属氧化物和有机TFT为主，系统介绍TFT相关的材料、器件及制备技术；再以有源驱动液晶显示和有机发光显示两种显示技术为主，介绍TFT面板驱动原理及集成制造工艺技术；最后介绍柔性TFT在材料、器件及制造工艺等方面的进展及所面临的挑战。每章后附有知识点和思考题，思考题可供课后作业或课堂讨论使用。 本书可作为高年级本科生和研究生相关课程的教材，也可作为从事TFT技术相关工作的广大科技工作者、工程技术和研发人员的参考书。

第1章 MIS场效应晶体管基础
1.1 半导体中的电子状态与载流子
1.1.1 半导体材料的结构与能带形成
1.1.2 半导体中的载流子
1.1.3 半导体中载流子的统计分布
1.2 载流子的传输
1.3 pn结和金属-半导体接触
1.3.1 pn结
1.3.2 金属-半导体接触
1.4 金属-绝缘层-半导体结构
1.4.1 理想MIS结构及其工作状态
1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布
1.4.3 理想MIS结构的阈值电压
1.4.4 实际MIS结构
1.4.5 MIS结构的电容-电压特性
1.5 MIS场效应晶体管
1.5.1 MISFET的结构
1.5.2 MOSFET的工作原理
1.5.3 MISFET的最简模型
1.5.4 MOSFET的亚阈值电流
1.5.5 MISFET特性参数提取方法
知识点
思考题
参考文献
第2章 薄膜技术
2.1 真空热蒸发镀膜技术
2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理
2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点
2.2 溅射镀膜技术
2.2.1 气体放电原理
2.2.2 溅射现象
2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点
2.3 化学气相沉积技术
2.3.1 化学气相沉积原理
2.3.2 化学气相沉积技术种类及特点
2.4 光刻技术
2.4.1 光刻原理
2.4.2 光刻工艺概述
2.4.3 光刻胶
2.4.4 对位与曝光
2.4.5 显影
2.5 刻蚀
2.5.1 刻蚀工艺的品质因数
2.5.2 湿法刻蚀
2.5.3 干法刻蚀
知识点
思考题
参考文献
第3章 氢化非晶硅薄膜晶体管
3.1 α-Si:H半导体的物理基础
3.1.1 α-Si:H的原子结构
3.1.2 α-Si:H的电子态和能带模型
3.1.3 α-Si:H的光学特性
3.1.4 α-Si:H中的替位掺杂
3.1.5 α-Si:H中的载流子传输
3.2 α-Si:HTFT的工作原理与特性
3.2.1 α-Si:HTFT的典型结构
3.2.2 α-Si:HTFT中的界面空间电荷
3.2.3 α-Si:HTFT的特性
3.3 α-Si:HTFT中的关键材料
3.3.1 α-Si:H薄膜
3.3.2 α-SiNx:H薄膜
3.4 α-Si:HTFT电性能的稳定性
3.4.1 直流栅偏压稳定性
3.4.2 其他偏压稳定性
知识点
思考题
参考文献
第4章 低温多晶硅薄膜晶体管
4.1 多晶硅半导体的物理基础
4.1.1 多晶硅薄膜结构与形貌
4.1.2 多晶硅的简化能带结构
4.1.3 多晶硅薄膜中载流子的传输
4.1.4 多晶硅薄膜中的态密度分布
4.2 LTPSTFT的工作原理与特性
4.2.1 LTPSTFT的基本结构
4.2.2 LTPSTFT的关态电流
4.2.3 热载流子效应
4.2.4 驼峰(Hump)效应
4.2.5 浮体效应
4.2.6 栅偏压稳定性
4.3 LTPSTFT中的关键材料技术
4.3.1 多晶硅薄膜制备技术
4.3.2 绝缘层技术
4.3.3 掺杂
4.4 非晶硅晶化技术
4.4.1 固相晶化
4.4.2 准分子激光退火
4.4.3 人工控制晶粒超级横向生长
4.4.4 顺序横向晶化
4.4.5 固体激光晶化
4.4.6 选择扩大激光晶化
4.5 LTPSTFT结构、制造工艺与性能
4.5.1 源漏偏移结构
4.5.2 轻掺杂漏结构
4.5.3 栅覆盖轻掺杂漏结构
4.5.4 场致漏结构
4.5.5 多栅结构
知识点
思考题
参考文献
第5章 金属氧化物薄膜晶体管
5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础
5.1.1 IGZO的结构与能带
5.1.2 α-IGZO中的电子态
5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态
5.1.4 IGZO中载流子的传输机制
5.2 IGZOTFT的工作原理与特性
5.2.1 IGZOTFT的典型结构与工作原理
5.2.2 α-IGZOTFT的特性
5.2.3 CAAC-IGZOTFT的特性
5.3 金属氧化物TFT中的关键材料
5.3.1 金属氧化物半导体材料
5.3.2 栅绝缘层材料
5.3.3 钝化层/刻蚀阻挡层材料
5.3.4 电极材料
5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺
5.4.1 磁控溅射法
5.4.2 溶液法
5.5 金属氧化物TFT结构、制造工艺与性能
5.5.1 底栅结构
5.5.2 顶栅结构
5.5.3 垂直结构
5.5.4 高迁移率结构
5.6 非晶金属氧化物TFT的稳定性
5.6.1 光照稳定性
5.6.2 偏压稳定性
5.6.3 偏压-光照稳定性
5.6.4 环境稳定性
5.6.5 提高金属氧化物TFT稳定性的方法
知识点
思考题
参考文献
第6章 有机薄膜晶体管
6.1 有机半导体中的电子状态与载流子
6.1.1 有机半导体的分子结构
6.1.2 有机半导体的能带结构
6.1.3 有机半导体中的载流子
6.2 载流子的注入与传输机理
6.2.1 载流子的注入机理
6.2.2 有机晶体中的能带传输
6.2.3 无序有机半导体中的载流子传输
6.2.4 有机半导体载流子迁移率的测试方法
6.3 OTFT的结构、原理与特性
6.3.1 OTFT的典型结构与工作原理
6.3.2 OTFT的源漏接触电阻
6.3.3 OTFT的