本书是作者近年来在对低维纳米材料的电子结构、磁特性以及自旋轨道耦合效应研究的基础上撰写而成，系统地介绍了二维III-VI族化合物的自旋相关特性。全书共分7章，主要内容包括：相关材料的研究背景及理论方法，二维NIIIXVI (N=Ga, In; X=S, Se, Te)单层Rashba自旋劈裂的电场调控，极性XABY (A, B = Ga, In; X≠Y = S, Se, Te)中显著的Rashba自旋劈裂，II型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制，InSe/MTe2 (M = Pd, Pt)范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性及InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应。 本书可供低维材料相关领域的科研技术人员学习使用，也可供高等院校相关专业师生参考。
第1章绪论
1．1自旋电子学的发展2
1．2自旋轨道耦合作用5
1．3二维材料8
1．3．1石墨烯的基本特性8
1．3．2过渡金属硫属化合物的基本特性9
1．3．3Ⅲ-Ⅵ族硫属化合物的基本特性11
参考文献15
第2章理论方法
2．1能带理论的三大近似21
2．1．1绝热近似21
2．1．2单电子近似与密度泛函理论23
2．1．3布洛赫定理28
2．2势与波函数的处理31
2．2．1平面波方法32
2．2．2原子轨道线性组合法34
2．2．3赝势方法35
2．2．4投影缀加波法37
2．3Kohn-Sham方程的自洽求解40
参考文献41
第3章二维NⅢXⅥ （N=Ga，In；X=S，Se，Te）单层Rashba自旋劈裂的电场调控
3．1概述47
3．2计算方法和模型50
3．3结果和讨论52
参考文献61
第4章极性XABY（A，B=Ga，In；X≠Y=S，Se，Te）中显著的Rashba自旋劈裂
4．1概述69
4．2计算方法与模型72
4．3结果与讨论75
参考文献87
第5章Ⅱ型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制
5．1概述95
5．2计算方法98
5．3结果和讨论99
5．3．1几何结构99
5．3．2电子特性101
5．3．3自旋电子特性106
参考文献113
第6章InSe/MTe2 (M=Pd，Pt)范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性
6．1概述123
6．2计算方法125
6．3结果和讨论126
6．3．1几何结构和电子特性126
6．3．2光学特性135
6．3．3自旋电子特性135
参考文献139
第7章InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应
7．1概述147
7．2计算方法149
7．3结果和讨论150
7．3．1异质结的构建150
7．3．2外界调控对异质结Rashba自旋劈裂的影响150
参考文献156
