随着IC芯片技术的快速发展，芯片的规模越来越大，信号I／O数量越来越多，但封装的面积和针脚间距越来越小，使得倒装芯片凸点互连技术得到迅速发展。传统的倒装芯片封装采用含铅焊料凸点实现互连，随着绿色制造的倡导实施及金比焊料在导电率及热传导率上的优势，金凸点互连技术将逐渐成为倒装芯片封装的一种较好的解决方案。由于国外技术的封锁，高速共面剪切断丝核心技术处于保密状态，国内对金凸点剪切断丝机理方面的研究尚属空白。本书针对上述问题，对金凸点制作过程中的电子放电过程及影响热影响区长度的放电参数进行了分析，研究了影响剪切断丝过程的工艺参数，并基于所建立的数值分析模型进行了相关的实验研究。

第1章 绪论
1.1 课题背景及研究的目的和意义
1.2 微电子封装互连技术简介
1.3 国内外研究现状
1.4 课题来源和本书主要研究内容
第2章 电子放电及热传递过程研究
2.1 引言
2.2 电子放电过程中的守恒方程
2.3 电子放电过程在适体坐标系下的分析
2.4 初始电场分布
2.5 适体坐标系下的守恒方程
2.6 放电计算结果研究分析
2.7 本章小结
第3章 EFO参数对金丝热影响区的影响研究
3.1 引言
3.2 放电电流、放电时间对FAB大小的影响研究
3.3 FAB凝固过程有限元模拟
3.4 再结晶温度与热影响区的关系
3.5 放电电流、时间对热影响区的影响
3.6 本章小结
第4章 劈刀剪切断丝过程有限元模拟
4.1 引言
4.2 ANSYS／LS-DYNA显式有限元理论
4.3 有限元模型的建立
4.4 剪切断丝过程有限元仿真研究
4.5 剪切断丝影响参数优化分析
4.6 本章小结
第5章 放电成球及剪切断丝实验研究
5.1 引言
5.2 实验材料和方法
5.3 成球工艺参数对金球质量的影响
5.4 成球工艺参数对热影响区的影响
5.5 劈刀剪切运动参数对凸点成形影响研究
5.6 本章小结
第6章 结论
参考文献