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书       名 :
著       者 :
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文献来源:
出版时间 :
半导体热点领域发明专利申请撰写及检索/专利申请文件撰写与审查指导丛书
0.00     定价 ¥ 198.00
图书来源: 浙江图书馆(由浙江新华配书)
此书还可采购24本,持证读者免费借回家
  • 配送范围:
    浙江省内
  • ISBN:
    9787513089487
  • 作      者:
    编者:王兴妍|责编:龚卫
  • 出 版 社 :
    知识产权出版社
  • 出版日期:
    2024-01-01
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作者简介

王兴妍,国家知识产权局专利局电学发明审查部半导体一处处长,二级审查员,国家知识产权局高层次人才,首批知识产权行政保护技术调查官,全国专利信息师资人才。长期从事半导体相关技术领域的发明专利审查以及相关研究工作,作为课题组负责人、组长、主要研究人员、指导专家参与国家知识产权局局级课题十余项,并多次获得优秀专利调查研究报告或被评为国家知识产权局优秀课题。

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内容介绍
本书以半导体热点领域的存储器件、功率器件、新型封装、新型显示、高效率太阳能电池作为研究对象,介绍各领域的专利技术发展状况、专利申请现状、检索策略和申请文件撰写特点,以期为该领域研发人员及专利工作者做好专利挖掘和布局,提升专利申请撰写质量提供借鉴。
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目录

第一章 存储器件
第一节 动态随机存取存储器 (DRAM)
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第二节 三维 NAND闪存
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第三节 新型随机存储器
一、RRAM专利技术综述
二、MRAM专利技术综述
三、检索策略及案例解析
第四节 专利申请文件撰写
一、撰写特点
二、常见问题分析
三、典型案例
第二章 功率器件
第一节 绝缘栅双极型场效应晶体管 (IGBT)
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第二节 双扩散金属氧化物半导体晶体管 (DMOS)
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第三节 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第四节 专利申请文件撰写
一、撰写特点
二、常见问题分析
三、典型案例
第三章 新型封装
第一节 系统级封装 (SiP)
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第二节 晶圆级封装 (WLP)
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第三节 三维 (D)封装
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第四节 专利申请文件撰写
一、撰写特点
二、常见问题分析
三、典型案例
第四章 新型显示
第一节 有机发光二极管 (OLED)显示
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第二节 微型发光二极管 (MicroLED)显示
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第三节 量子点显示
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第四节 专利申请文件撰写
一、撰写特点
二、常见问题分析
三、典型案例
第五章 高效率太阳能电池
第一节 钙钛矿 (PSC)太阳能电池
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第二节 本征薄膜异质结 (HIT)太阳能电池
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第三节 隧穿氧化层钝化接触 (TOPCon)太阳能电池
一、专利技术综述
二、检索策略及案例解析
第四节 专利申请文件撰写
一、撰写特点
二、常见问题分析
三、典型案例

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