第1章 概况
1.1 研究背景
1.1.1 技术发展概况
1.1.2 产业现状
1.1.3 产业发展趋势
1.2 研究对象和方法
1.2.1 研究对象
1.2.2 研究方法
1.2.3 相关事项和约定
第2章 专利壁垒指数模型研究
2.1 研究意义
2.2 研究对象
2.3 研究优势
2.4 专利壁垒指数模型
2.4.1 建立流程
2.4.2 相关因素
第3章 高端光刻机全球竞争情报分析
3.1 高端光刻机专利总体竞争态势
3.1.1 总体申请趋势
3.1.2 原创目标国家地区专利申请分布
3.1.3 重要申请人分析
3.2 全球科技文献技术情报分析
3.3 各领域申请趋势及布局趋势分析
3.3.1 曝光系统
3.3.2 工件台及测量系统
3.3.3 环境与真空
3.4 ASML专利分析
3.4.1 ASML成长经历
3.4.2 ASML专利申请与布局
3.4.3 ASML科技文献信息分析
3.5 中国申请人专利分析
3.5.1 专利申请趋势分析
3.5.2 申请人构成分析
3.5.3 申请人的各技术分支申请分布
3.5.4 重要申请人分析
3.6 本章小结
第4章 EUV光源专利分析
4.1 EUV光源技术介绍
4.2 专利竞争态势分析
4.2.1 申请态势
4.2.2 专利区域分布
4.2.3 重要申请人分析
4.3 技术路线分析
4.3.1 提高转换效率
4.3.2 减少污染
4.3.3 提高稳定性
4.4 重要专利技术介绍
4.5 全球科技文献情报分析
4.5.1 EUV光源提高转换效率
4.5.2 防止EUV光源污染
4.5.3 提高稳定性
4.5.4 全球科技文献情报分析小结
4.6 技术发展趋势预测
4.7 专利壁垒研究
4.8 技术未来发展预测与中国技术发展路线
4.8.1 借鉴G公司准分子激光器技术可行性分析
4.8.2 人才战略资源导航
4.8.3 专利可利用性浅析
4.9 本章小结
第5章 投影物镜专利分析
5.1 投影物镜技术介绍
5.2 专利竞争态势分析
5.2.1 申请态势
5.2.2 专利区域分布
5.2.3 主要申请人分析
5.3 技术路线分析
5.3.1 膜层设计
5.3.2 多镜投影物镜系统整体设计
5.4 重要专利技术介绍
5.5 全球科技文献情报分析
5.6 技术发展趋势预测
5.7 投影物镜专利壁垒研究
5.8 反射镜镀膜专利技术的充分利用
5.9 本章小结
第6章 主要结论和建议
6.1 主要结论
6.2 主要建议
附录
附录1 申请人名称约定表
附录2 EUV光刻机重要专利列表
附录3 可被借鉴的部分专利列表
图索引
表索引
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