前言
第1章 半导体器件缺陷及失效分析技术概要
1.1 失效分析的定位
1.2 缺陷分析的定位
1.3 用于缺陷及失效分析的分析工具概要
专栏:NANOTS的成立与更名
第1章参考文献
第2章 硅集成电路(LSI)的失效分析技术
2.1 失效分析的步骤和近8年新开发或普及的技术
2.2 封装部件的失效分析
2.3 芯片部件失效分析过程和主要失效分析技术一览
2.4 芯片部件的无损分析方法
2.5 芯片部件的半破坏性分析
2.6 物理和化学分析方法
专栏:应该如何命名
第2章练习题
第2章缩略语表
第2章参考文献
第3章 功率器件的缺陷及失效分析技术
3.1 功率器件的结构和制造工艺
3.2 由晶圆制造工艺引起的器件缺陷及失效分析技术
专栏:晶圆背面状态对工艺的影响
3.3 由芯片制造工艺引起的器件缺陷及失效分析技术
专栏:碱金属的加速氧化
3.4 由模块制造工艺引起的设备缺陷及失效分析技术
3.5 功率器件的其他分析技术
专栏:增大用于功率器件的晶圆直径
第3章练习题
第3章参考文献
第4章 化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术
4.1 化合物半导体发光器件的工作原理和结构
4.2 化合物半导体发光器件的可靠性(以半导体激光器为例)
4.3 化合物半导体发光器件的可靠性测试
4.4 化合物半导体发光器件缺陷及失效分析的基本技术
4.5 化合物半导体发光器件缺陷及失效分析流程图
专栏:高速增长的VCSEL市场,可靠性没问题?不!
第4章练习题
第4章缩略语表
第4章参考文献
作者介绍
练习题答案
展开