第1章 绪论
1.1 背景
1.2 氮化镓材料研究进展
1.3 氮化镓微波功率器件研究进展
1.4 氮化镓微波功率器件可靠性进展
参考文献
第2章 氮化物材料MOCVD生长技术
2.1 GaN材料基本特性及MOCVD生长技术
2.1.1 GaN材料的基本特性
2.1.2 MOCVD方法生长GaN简介
2.2 磁控溅射AlN基板生长GaN薄膜技术
2.2.1 磁控溅射AlN特性简介
2.2.2 磁控溅射AlN基板上GaN材料生长及表征
2.2.3 磁控溅射AlN基板位错抑制机理分析
2.3 微纳球掩膜部分接触式横向外延过生长技术
2.3.1 部分接触式横向外延过生长简介
2.3.2 微纳球掩膜技术外延薄膜材料表征
2.3.3 微纳球掩膜技术外延机理分析
2.4 斜切衬底上N面GaN材料生长技术
2.4.1 N面GaN材料简介
2.4.2 斜切衬底上N面GaN材料生长
2.4.3 斜切衬底上N面GaN材料位错湮灭机理分析
2.5 InGaN沟道异质结
2.5.1 InGaN沟道异质结特性简介
2.5.2 InGaN沟道异质结基本特性表征
2.5.3 InGaN沟道异质结电学特性分析
参考文献
第3章 氮化镓微波功率器件技术
3.1 器件的直流参数及测量
3.2 氮化镓基器件制备工艺
3.2.1 新材料表面镜检与清洗
3.2.2 标记金属制备
3.2.3 欧姆金属制备
3.2.4 器件有源区隔离
3.2.5 表面钝化
3.2.6 栅下钝化层去除以及势垒层处理
3.2.7 栅下绝缘介质生长
3.2.8 肖特基栅金属制备
3.2.9 表面二次钝化与互连金属布线
3.3 微波大功率器件
3.3.1 微波大功率器件研究进展
3.3.2 微波功率器件工作电压提升技术
3.4 毫米波器件
3.4.1 毫米波器件研究背景及发展历程
3.4.2 毫米波器件栅结构研究
3.4.3 毫米波器件短沟道效应研究
3.5 热分析与热设计
3.5.1 AlGaN/GaNHEMT器件热生成机制
3.5.2 AlGaN/GaNHEMT三维有限元热仿真
参考文献
第4章 微波功率器件新型工艺
4.1 刻蚀形貌控制技术
4.1.1 刻蚀技术与设备
4.1.2 刻蚀形貌控制
4.2 界面等离子体处理技术
4.2.1 氧气等离子体处理
4.2.2 N2O等离子体处理
4.3 新型表面钝化技术
4.3.1 新型SiN钝化技术
4.3.2 原子层沉积表面钝化层
4.4 图形化欧姆接触技术
4.4.1 图形化欧姆接触原理
4.4.2 常规图形化刻蚀工艺
4.4.3 图形化刻蚀工艺的改进
参考文献
第5章 微波功率器件建模
5.1 典型微波参数及物理意义
5.2 小信号建模
5.2.1 GaNHEMT小信号模型建立
5.2.2 寄生参数提取
5.2.3 本征参数提取
5.3 大信号建模
5.3.1 常用的大信号模型
5.3.2 Angelov模型的建立
5.3.3 拟合结果
5.4 功率放大器的实现方法
5.4.1 高效率放大器工作模式
5.4.2 S波段高效率放大器电路设计
5.4.3 S波段高效率放大器的实现与测试
参考文献
第6章 新型氮化镓微波功率器件
6.1 GaN基FinHEMT器件
6.1.1 GaN基FinHEMT器件的研究意义
6.1.2 GaN基FinHEMT器件的阈值电压模型
6.1.3 结构参数对于AlGaN/GaNFinHEMT器件特性的影响
6.2 氮化镓高线性器件
6.2.1 高线性器件研究背景
6.2.2 类FinHEMT高线性氮化镓器件
6.3 全刻蚀凹槽增强型MOSHEMT器件
6.3.1 全刻蚀凹槽增强型MOSHEMT器件直流特性
6.3.2 全刻蚀凹槽增强型MOSHEMT器件C-V特性及迁移率提取
6.3.3 退火对全刻蚀凹槽增强型MOSHEMT器件特性的影响
6.4 类存储型增强型器件
6.4.1 GaN基存储型器件概述
6.4.2 类存储型Al2O3/AlGaN/GaNMISHEMT器件制备
6.4.3 类存储型Al2O3/AlGaN/GaNMISHEMT器件特性
6.4.4 电荷俘获作用对类存储型增强型器件的影响
6.4.5 类存储型增强型器件的保持特性
6.5 铁电介质栅增强型器件
6.5.1 铁电薄膜的制备及特性
6.5.2 PZT/Al2O3/AlGaN/GaN增强型HEMT器件
6.5.3 铁电薄膜转移及氮化镓增强型HEMT器件
参考文献
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