本书力求从简要、易懂、可操作性强的角度出发，概述FIB的工作原理，清晰介绍FIB诱导沉积、溅射刻蚀过程及重要控制参数；详细说明FIB的离子注入和离子束曝光过程以及主要影响参数；从实际工作角度出发，示例说明FIB样品前后处理的过程和注意要点；详细介绍离子束在集成电路中的应用，以及联合其他显微分析设备开展微观材料、器件剖析的步骤过程。本书提供了大量鲜活案例，主要为编者及其团队的真实实验结果，凝聚了编者们技术探索的经验总结，具有较强的典型性和参考性。

第一章 聚焦离子束原理
1.1 聚焦离子束的基本结构
1.1.1 聚焦离子束的系统的分类
1.1.2 离子枪的结构
1.1.3 双束设备样品室布局与工作台
1.2 离子束与材料的作用及离子束加工基本功能原理
1.2.1 离子束与材料的作用
1.2.2 聚焦离子束的主要功能
第二章 聚焦离子束诱导沉积
2.1 FIB中的电子束与离子束诱导沉积
2.1.1 电子束诱导沉积原理和技术特点
2.1.2 离子束诱导沉积原理和技术特点
2.1.3 离子束与电子束沉积的参数选择
2.2 沉积层的电学特性
2.2.1 离子束诱导沉积层的电学特性
2.2.2 电子束诱导沉积保护层的电学特性
2.2.3 利用沉积参数调控保护层的电学特性
2.3 保护层沉积
2.3.1 保护层种类的选择
2.3.2 敏感样品保护层的沉积方法和参数选择
第三章 聚焦离子束溅射刻蚀
3.1 聚焦离子束入射与固体材料表面的相互作用
3.1.1 产生的信号类型
3.1.2 离子入射到固体材料中的射程
3.2 聚焦离子束的溅射刻蚀
3.2.1 入射离子能量对溅射产额的影响
3.2.2 入射高能离子角度对溅射产额的影响
3.2.3 目标材料层数及厚度对溅射产额的影响
3.2.4 化学活性气体对溅射产额的影响
3.2.5 溅射原子再沉积对溅射刻蚀效果的影响
3.2.6 聚焦离子束扫描方式加工对溅射刻蚀效果的影响
3.3 聚焦离子束的溅射刻蚀总结
3.3.1 物理离子束溅射刻蚀主要特点
3.3.2 反应离子束溅射刻蚀主要特点
3.4 聚焦离子束溅射刻蚀的具体实例
3.4.1 以双柬电镜制备透射样品为例溅射刻蚀
3.4.2 以TESCAN电镜制备透射样品为例溅射刻蚀
第四章 聚焦离子束注入与离子束曝光
4.1 FIB离子注入
4.2 FIB离子注入的优缺点
4.3 FIB离子束注入技术实例
4.4 F1B离子束曝光
4.4.1 FIB离子束曝光的优点
4.4.2 FIB离子束曝光的缺点
第五章 聚焦离子束在集成电路中的应用
5.1 聚焦离子束在芯片修复中的应用
5.1.1 聚焦离子束芯片修复流程
5.1.2 电路修复的操作过程
5.2 聚焦离子束在集成电路失效分析中的应用
5.2.1 钝化层裂纹深度分析
5.2.2 MOS管打火失效分析
5.2.3 芯片IGSS漏电过大失效分析
5.3 总结与展望
第六章 聚焦离子束联合使用模式
6.1 FIB与扫描电镜及EDS、EBSD联合使用
6.1.1 FIB与扫描电镜联用原理和技术特点
6.1.2 FIB—SEM与EDS联合使用原理和技术特点
6.1.3 FIB—SEM与EBSD联合使用原理和技术特点
6.2 FIB与激光联用的技术原理和技术特点
6.2.1 激光与聚焦离子束联用发展背景
6.2.2 FIB与激光联用在TEM制样中的应用
6.2.3 FIB与激光联用在微纳结构加工中的应用
6.3 FIB与二次离子质谱联合使用
6.3.1 FIB与二次离子质谱联合使用原理和技术特点
6.3.2 FlB与二次离子质谱联合使用在材料分析中的应用
6.3.3 FIB与飞行时间二次离子质谱联用三维分析简介
6.4 F1B与光镜及CT联合使用
6.4.1 F1B与光镜及CT联合使用原理和技术特点
6.4.2 F1B与CT联合使用在芯片分析中的应用
6.4.3 FIB与CT联合使用在矿物分析中的应用
6.5 FIB与冷冻传输系统(Cryo)联用原理及技术特点
6.6 展望
第七章 聚焦离子束样品前／后期处理
7.1 FIB样品前期处理
7.1.1 机械切割
7.1.2 样品剪薄
7.1.3 研磨与抛光
7.1.4 导电层及保护层制备
7.2 FIB样品后期处理
7.2.1 清洗和处理
7.2.2 观察与分析
7.2.3 材料测试
附录一 聚焦离子束基本操作
1.电镜样品的前处理
2.双束电镜的基本操作
附录二 SRIM／TRIM模拟计算高能离子束入射后离子运动轨迹
1.软件原理
2.软件模拟的基本过程
3.软件模拟仿真计算过程
4.利用TRIM和SRIM软件模拟计算离子运动轨迹
附录三 Geant4模拟概述
1.Geant4模拟原理
2.Geant4模拟程序简介
3.实例