第1章 CMOS器件性能进展
1．1 引言
1．2 MOSFET操作的基本原理
1．3 10nm尺寸MOSFET器件物理
1．4 简单的MOSFET模型
1．5 MOSFET性能指标
1．6 MOSFET性能的历史发展趋势
1．7 Si基MOSFET的速度演化
1．8 应变Si器件中的载流子速度增长极限
1．9 对Ge和Ⅲ-V族半导体中的速度增长的展望
1．10 小结
参考文献
延伸阅读

第2章 石墨烯中的电子输运
2．1 石墨烯的电子能带结构
2．1．1 紧束缚计算
2．1．2 石墨烯纳米带
2．2 电子输运
2．2．1 电声子散射
2．2．2 无序散射
2．2．3 石墨烯纳米带中的输运
2．2．4 SiC生长和CVD生长石墨烯中的输运
2．3 石墨烯场效应晶体管中的高场输运
2．4 小结
致谢
参考文献
延伸阅读

第3章 石墨烯晶体管
3．1 引言
3．2 数字场效应晶体管
3．3 能带带隙
3．4 射频场效应晶体管（RFFET）
3．5 宽度缩放
3．6 边缘散射的弱化
3．7 长度缩放
3．8 层数对FET性能的影响
3．9 掺杂
3．10 数字FET的性能蓝图
3．11 接触电阻
3．12 从晶体管到电路
3．13 非经典的电荷晶体管
3．14 小结
参考文献

第4章 非电态参量石墨烯晶体管
4．1 引言
4．2 石墨烯中的电子电荷
4．3 石墨烯原子开关
4．4 石墨烯中的自旋
4．5 石墨烯中的赝自旋
4．6 石墨烯中的声子
4．7 展望
致谢
参考文献
……

第5章 新型态参量的输运
第6章 石墨烯的外延生长
第7章 利用化学气相沉积法生长石墨烯
第8章 制备石墨烯氧化物及相关材料的化学方法
第9章 石墨烯上的电介质原子层沉积

缩略语