张龙
2010年于中国矿业大学获学士学位，2013年、2018年于东南大学分别获硕士、博士学位，2018-2020年在东南大学从事博士后研究工作，目前为东南大学至善青年学 者，副教授，博士生导师，博士论文曾入选2019年度中国电子学会优 秀博士学位论文。主要研究方向为功率半导体集成工艺及器件，开发了600V高功率密度厚膜绝缘体上硅Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT工艺，并实现了单片全集成智能功率芯片的自主制备。

孙伟锋
2000年、2003年、2007年于东南大学分别获学士、硕士及博士学位，目前为东南大学首 席教授，国家高层次人才，江苏省特聘教授，博士生导师。主要研究方向为功率半导体集成电路。

刘斯扬
2008年于合肥工业大学获学士学位，2011年、2015年于东南大学分别获硕士、博士学位，2015至2017年在东南大学从事博士后研究工作，目前为东南大学青年首 席教授，国家高层次人才，博士生导师，博士论文曾入选 2016年度中国电子学会优 秀博士学位论文。主要研究方向为功率半导体集成工艺、器件及可靠性。

第1章　绪论 1
1．1　单片智能功率芯片与厚膜SOI工艺　1
1．1．1　单片智能功率芯片　1
1．1．2　厚膜SOI工艺　2
1．1．3　LIGBT器件及其应用需求　3
1．2　高压厚膜SOI-LIGBT器件的研究现状　6
1．2．1　互连线技术　6
1．2．2　电流密度提升技术　7
1．2．3　短路鲁棒性　8
1．2．4　关断鲁棒性　10
1．2．5　快速关断技术　11
1．3　本书内容　12
参考文献　13
第2章　高压厚膜SOI-LIGBT器件的基本原理　20
2．1　耐压原理　20
2．2　导通原理　22
2．3　关断原理　24
2．3．1　开关波形　24
2．3．2　关断的物理过程　26
2．4　短路过程与失效机理　27
参考文献　32
第3章　高压厚膜SOI-LIGBT器件的互连线技术　33
3．1　HVI导致击穿电压下降的机理　33
3．2　等深双沟槽互连线技术　35
3．3　非等深双沟槽互连线技术　41
3．4　本章小结　49
参考文献　50
第4章高压厚膜SOI-LIGBT器件的电流密度提升技术　51
4．1　电流密度与闩锁电压的折中关系　51
4．2　直角U型沟道技术　55
4．3　非直角U型沟道技术　60
4．4　本章小结　70
参考文献　71
第5章高压厚膜SOI-LIGBT器件的鲁棒性　73
5．1　关断鲁棒性　73
5．1．1　多跑道并联SOI-LIGBT器件的非一致性关断特性　73
5．1．2　非一致性关断行为的改进　83
5．2　短路鲁棒性　84
5．2．1　双栅控制型器件及其短路能力　84
5．2．2　沟槽栅U型沟道器件的特性　89
5．2．3　平面栅与沟槽栅U型沟道器件的短路特性对比　94
5．3　开启电流过冲与di/dt控制技术　104
5．3．1　U型沟道SOI-LIGBT器件的di/dt可控性　104
5．3．2　预充电控制技术　106
5．4　击穿电压漂移现象　110
5．4．1　低温动态雪崩测试　111
5．4．2　动态雪崩稳定性机理　113
5．4．3　优化策略讨论　118
5．5　本章小结　122
参考文献　122
第6章高压厚膜SOI-LIGBT器件的快速关断技术　127
6．1　漂移区深沟槽技术　127
6．1．1　漂移区双沟槽器件及其关断特性　127
6．1．2　漂移区三沟槽器件及其关断特性　135
6．2　电压波形平台的产生机理与消除技术　144
6．2．1　电压波形平台的产生机理　145
6．2．2　电压波形平台的消除技术　148
6．3　复合集电极技术　156
6．3．1　复合集电极结构与原理　157
6．3．2　复合集电极SOI-LIGBT器件的特性　160
6．4　横向超结技术　165
6．4．1　横向超结的排列方式　166
6．4．2　关断过程电压波形分析　168
6．4．3　横向超结优化策略　174
6．5　阳极短路技术　178
6．5．1　结构和工作机理　178
6．5．2　电学特性　183
6．6　本章小结　188
参考文献　189
第7章高压厚膜SOI-LIGBT器件工艺流程与版图设计　193
7．1　工艺流程　193
7．2　版图设计　196
7．2．1　直条区域　196
7．2．2　拐角区域与HVI　197
7．2．3　跑道和隔离沟槽　197
参考文献　198
符号、变量注释表　199
缩略语　201