无

第1部分 导论 1
第1章概述2
参考文献8


第2部分 片上系统（SoC） 9
第2章体微加工10
2.1体微加工技术的工艺基础11
2.2基于晶圆键合的体微加工技术14
2.2.1SOI MEMS14
2.2.2空腔SOI技术19
2.2.3玻璃上硅工艺：溶片工艺（DWP）20
2.3单晶圆单面加工工艺24
2.3.1单晶反应刻蚀及金属化工艺（SCREAM）24
2.3.2牺牲体微加工（SBM）27
2.3.3空腔上硅（SON）28
参考文献32

第3章基于MIS工艺的增强体微加工技术36
3.1多层3D结构或多传感器集成的重复MIS循环36
3.1.1PS3型结构的压力传感器36
3.1.2P+G集成传感器39
3.2压力传感器制备：从MIS更新到TUB41
3.3用于各种先进MEMS器件的MIS扩展工艺43
参考文献44

第4章外延多晶硅表面微加工46
4.1外延多晶硅的工艺条件46
4.2采用外延多晶硅的MEMS器件46
参考文献51

第5章多晶SiGe表面微加工53
5.1介绍53
5.1.1SiGe在IC芯片和MEMS上的应用53
5.1.2MEMS所需的SiGe特性54
5.2SiGe沉积54
5.2.1沉积方法54
5.2.2材料性能对比54
5.2.3成本分析55
5.3LPCVD多晶SiGe56
5.3.1立式炉56
5.3.2颗粒控制57
5.3.3过程监测和维护57
5.3.4在线测量薄膜厚度和锗含量58
5.3.5工艺空间映射59
5.4CMEMS加工60
5.4.1CMOS接口问题61
5.4.2CMEMS工艺流程62
5.4.3释放67
5.4.4微盖的Al-Ge键合68
5.5多晶SiGe应用69
5.5.1电子定时谐振器/振荡器69
5.5.2纳米机电开关71
参考文献74

第6章金属表面微加工78
6.1表面微加工的背景78
6.2静态器件79
6.3单次运动后固定的静态结构80
6.4动态器件81
6.4.1MEMS开关81
6.4.2数字微镜器件83
6.5总结86
参考文献87

第7章异构集成氮化铝MEMS谐振器和滤波器88
7.1集成氮化铝MEMS概述88
7.2氮化铝MEMS谐振器与CMOS电路的异构集成89
7.2.1氮化铝MEMS工艺流程90
7.2.2氮化铝MEMS谐振器和滤波器的封装91
7.2.3封装氮化铝MEMS的重布线层92
7.2.4选择单个谐振器和滤波器频率响应93
7.2.5氮化铝MEMS与CMOS的倒装芯片键合94
7.3异构集成自愈滤波器96
7.3.1统计元素选择（SES）在CMOS电路AlN MEMS滤波器中的应用96
7.3.2三维混合集成芯片的测量98
参考文献99

第8章使用CMOS晶圆的MEMS102
8.1CMOS MEMS的架构及优势简介102
8.2CMOS MEMS工艺模块107
8.2.1薄膜工艺模块109
8.2.2基底工艺模块113
8.32P4M CMOS平台（0.35μm）115
8.3.1加速度计115
8.3.2压力传感器116
8.3.3谐振器117
8.3.4其他120
8.41P6M CMOS平台（0.18μm）120
8.4.1触觉传感器120
8.4.2红外传感器122
8.4.3谐振器124
8.4.4其他127
8.5带有附加材料的CMOS MEMS129
8.5.1气体和湿度传感器129
8.5.2生化传感器135
8.5.3压力和声学传感器137
8.6电路和传感器的单片集成141
8.6.1多传感器集成141
8.6.2读出电路集成143
8.7问题与思考150
8.7.1残余应力、CTE失配和薄膜蠕变150
8.7.2品质因数、材料损失和温度稳定性156
8.7.3电介质充电158
8.7.4振荡器中的非线性和相位噪声159
8.8总结160
参考文献162

第9章晶圆转移175
9.1介绍175
9.2薄膜转移177
9.3器件转移（后通孔）180
9.4器件转移（先通孔）183
9.5芯片级转移188
参考文献190

第10章压电微机电系统192
10.1导言192
10.1.1基本原则192
10.1.2作为执行器的PZT薄膜特性192
10.1.3PZT薄膜成分和取向193
10.2PZT薄膜沉积194
10.2.1溅射194
10.2.2溶胶-凝胶196
10.2.3PZT薄膜的电极材料和寿命199
10.3PZT-MEMS制造工艺199
10.3.1悬臂和微扫描仪199
10.3.2极化201
参考文献201


第3部分 键合、密封和互连 203
第11章阳极键合204
11.1原理204
11.2变形206
11.3阳极键合对电路的影响208
11.4各种材料、结构和条件的阳极键合210
11.4.1各种组合210
11.4.2中间薄膜的阳极键合213
11.4.3阳极键合的变化213
11.4.4玻璃回流工艺215
参考文献216

第12章直接键合218
12.1晶圆直接键合218
12.2亲水晶圆键合219
12.3室温下的表面活化键合221
参考文献223

第13章金属键合226
13.1固液互扩散键合（SLID）227
13.1.1Au/In和Cu/In228
13.1.2Au/Ga和Cu/Ga229
13.1.3Au/Sn和Cu/Sn230
13.1.4孔洞的形成230
13.2金属热压键合231
13.3共晶键合233
13.3.1Au/Si233
13.3.2Al/Ge234
13.3.3Au/Sn235
参考文献235

第14章反应键合239
14.1动力239
14.2反应键合的基本原理239
14.3材料体系241
14.4技术前沿242
14.5反应材料体系的沉积概念242
14.5.1物理气相沉积242
14.5.2反应材料体系的电化学沉积244
14.5.3具有一维周期性的垂直反应材料体系247
14.6与RMS键合250
14.7结论252
参考文献252

第15章聚合物键合255
15.1引言255
15.2聚合物晶圆键合材料256
15.2.1聚合物的黏附机理256
15.2.2用于晶圆键合的聚合物性能257
15.2.3用于晶圆键合的聚合物259
15.3聚合物晶圆键合技术262
15.3.1聚合物晶圆键合中的工艺参数262
15.3.2局部聚合物晶圆键合266
15.4聚合物晶圆键合中晶圆对晶圆的精确对准267
15.5聚合物晶圆键合工艺实例268
15.6总结与结论270
参考文献270

第16章局部加热钎焊275
16.1MEMS封装钎焊275
16.2激光钎焊275
16.3电阻加热和钎焊278
16.4感应加热和钎焊280
16.5其他局部钎焊工艺282
16.5.1自蔓延反应加热282
16.5.2超声波摩擦加热283
参考文献285

第17章封装、密封和互连287
17.1晶圆级封装287
17.2密封288
17.2.1反应密封288
17.2.2沉积密封(壳体封装)291
17.2.3金属压缩密封293
17.3互连296
17.3.1垂直馈通互连296
17.3.2横向馈通互连301
17.3.3电镀互连304
参考文献306

第18章真空封装310
18.1真空封装的问题310
18.2阳极键合真空封装310
18.3控制腔压的阳极键合封装314
18.4金属键合真空封装315
18.5沉积真空封装315
18.6气密性测试317
参考文献318

第19章单片硅埋沟320
19.1LSI和MEMS中的埋沟/埋腔技术320
19.2单片SON技术及相关技术322
19.3SON的应用330
参考文献333

第20章基底通孔（TSV）336
20.1TSV的配置336
20.1.1实心TSV337
20.1.2空心TSV337
20.1.3气隙TSV338
20.2TSV在MEMS中的应用338
20.2.1信号传导至晶圆背面338
20.2.2CMOS-MEMS 3D集成338
20.2.3MEMS和CMOS 2.5D集成339
20.2.4晶圆级真空封装340
20.2.5其他应用341
20.3对MEMS中TSV的探讨341
20.4基本TSV制备技术342
20.4.1深孔刻蚀342
20.4.2绝缘体形成344
20.4.3导体形成345
20.5多晶硅TSV349
20.5.1实心多晶硅TSV349
20.5.2气隙多晶硅TSV352
20.6硅TSV353
20.6.1实心硅TSV353
20.6.2气隙硅TSV355
20.7金属TSV356
20.7.1实心金属TSV357
20.7.2空心金属TSV360
20.7.3气隙金属TSV365
参考文献366

附录376
附录1术语对照376
附录2单位换算384