本书根据国内外近十几年来氧化物半导体TiO2和WO3的氧空位调控及其光学、电学和磁学特性的研究进展，结合作者的研究成果撰写而成，系统地介绍了采用离子注入、水热法和真空退火等技术方法，通过对TiO2和WO3氧空位缺陷的分布、浓度的调控，进而实现对光学、电学和磁学性质的调制，获得更为理想的铁磁性能和表面增强拉曼光谱性能。本书主要内容包括TiO2和WO3的研究现状、掺杂和氧空位缺陷调控技术以及氧空位对TiO2和WO3的表面增强拉曼光谱、电学和铁磁等方面性能的影响研究。 本书可供从事半导体材料和器件方面研究的专业人员使用，也可作为大中专院校相关专业师生的参考书。

第1章 绪论
1.1 氧化物半导体TiO2和WO3的概述
1.1.1 TiO2 和WO3 的晶体结构
1.1.2 半导体材料光电响应机理
1.1.3 TiO2 和WO3 的应用、性能与研究现状
1.1.4 半导体材料光电性能影响因素与改善策略
1.2 TiO2和WO3中的缺陷
1.2.1 氧空位缺陷类型
1.2.2 氧空位对TiO2 和WO3 物理化学性能的影响
1.3 富含氧空位缺陷TiO2和WO3的研究现状
1.3.1 富含氧空位缺陷TiO2 和WO3 的磁学性能
1.3.2 富含氧空位缺陷TiO2 和WO3 的表面增强拉曼性能
参考文献
第2章 TiO2和WO3薄膜制备方法与实验方法
2.1 薄膜的制备方法
2.1.1 溅射法制备WO3 薄膜
2.1.2 水热法制备TiO2 纳米薄膜
2.2 TiO2和WO3氧空位缺陷的调控方法
2.2.1 氢热处理法
2.2.2 金属和非金属离子掺杂法
2.2.3 反应条件驱动法
2.2.4 高能粒子轰击法
2.2.5 缺氧条件下热处理法
2.3 实验方法
2.3.1 扫描电子显微镜
2.3.2 透射电子显微镜
2.3.3 吸收光谱
2.3.4 拉曼散射谱
2.3.5 X 射线光电子能谱
2.3.6 X 射线衍射谱
2.3.7 电阻率测试
2.3.8 霍尔效应测量系统
2.3.9 综合物性测量系统
2.3.10 基于SERS 效应的分子检测
2.4 第一性原理计算方法
参考文献
第3章 离子注入诱导氧空位对WO3薄膜电导率的影响
3.1 概述
3.2 实验过程
3.3 结果与讨论
3.3.1 离子注入模拟
3.3.2 样品微结构
3.3.3 SEM 图
3.3.4 电阻率
3.3.5 XPS 图谱
参考文献
第4章 Ar+ 辐照WO3薄膜中氧空位增强的室温铁磁性
4.1 概述
4.2 实验过程
4.3 结果和讨论
4.3.1 离子注入模拟
4.3.2 SEM 图
4.3.3 XRD 图谱
4.3.4 Raman 图谱
4.3.5 AFM 图
4.3.6 PL 图谱
4.3.7 室温磁学性能
4.3.8 XPS 图谱
4.3.9 铁磁性的机制
参考文献
第5章 W18O49纳米线中缺陷引起的铁磁性
5.1 概述
5.2 实验过程
5.3 结果和讨论
5.3.1 XRD 图谱
5.3.2 SEM 和TEM 图谱
5.3.3 XPS 图谱
5.3.4 室温磁学特性
5.3.5 EPR 图谱
参考文献
第6章 富含氧空位的W18O49纳米结构的光催化抗菌性能
6.1 概述
6.2 实验过程
6.3 结果和讨论
6.3.1 XRD 图谱
6.3.2 SEM 和TEM 图像
6.3.3 XPS 图谱
6.3.4 EPR 图谱
6.3.5 抗菌特性
6.3.6 抗菌机制
参考文献
第7章 热处理制备具有高SERS 灵敏度的稳定非化学
计量WO3-x 薄膜
7.1 概述
7.2 实验过程
7.3 结果和讨论
7.3.1 XRD、Raman 和PL 图谱
7.3.2 XPS 图谱
7.3.3 EPR 图谱
7.3.4 SERS 性能和机制
7.3.5 氧空位形成能计算
参考文献
第8章 真空退火增强TiO2纳米棒薄膜的SERS 灵敏度
8.1 概述
8.2 实验过程
8.3 结果和讨论
8.3.1 SERS 性能
8.3.2 SEM 图像
8.3.3 XRD、Raman、PL 和紫外可见吸收图谱
8.3.4 XPS 图谱
8.3.5 SERS 增强机制
参考文献