第1章 引言
1.1 电子封装集成简介
1.2 建模技术综述
1.3 本书的结构框架
参考资料
第2章 三维集成复杂互连宏建模
2.1 简介
2.1.1 宏建模的范围
2.1.2 互连电气模型图中的宏建模
2.2 网络参数：阻抗、导纳和散射矩阵
2.2.1 阻抗矩阵
2.2.2 导纳矩阵
2.2.3 散射矩阵
2.2.4 Z、Y和S矩阵间的转换
2.3 含部分分式的有理函数逼近
2.3.1 简介
2.3.2 迭代加权线性最小二乘估计
2.4 矢量拟合法
2.4.1 向量拟合法的两个步骤
2.4.2 用公共极点拟合向量
2.4.3 初始极点的选择
2.4.4 对原始向量拟合法的改进
2.5 宏模型综合
2.5.1 宏模型综合的约旦标准型法
2.5.2 等效电路
2.6 宏模型的稳定性、因果性和无源性
2.6.1 稳定性
2.6.2 因果性
2.6.3 无源性评估
2.6.4 无源性补偿
2.6.5 其他问题
2.7 应用于高速互连和电路的宏建模
2.7.1 具有非线性元件的集总电路
2.7.2 垂直自然电容器
2.7.3 带通孔的带状线到微带线过渡
2.8 结论
参考文献
第3章 用于3D集成系统的2.5D仿真方法
3.1 简介
3.2 用于开放边界电子封装建模的多重散射方法
3.2.1 平行板波导中场的模式展开
3.2.2 圆柱形PEC和理想磁导体通孔之间的多重散射系数
3.2.3 激励源及网络参数提取
3.2.4 线性方程组中有效矩阵向量乘积的实现
3.2.5 单层电源一地平面的数值示例
3.3 有限域电源一地平面仿真的边界建模新方法
3.3.1 理想磁导体边界
3.3.2 频率相关圆柱层
3.3.3 FDCL的验证
3.4 有限结构的数值模拟
3.4.1 模拟有限结构的扩展散射矩阵算法
3.4.2 任意形状边界结构的建模
3.5 三维电子封装结构建模
3.5.1 模式展开和边界条件
3.5.2 PPwGs中的模式匹配
3.5.3 双层问题的广义T矩阵
3.5.4 双层问题的公式总结
3.5.5 三维结构问题的公式总结
3.5.6 具有多通孔的多层电源一地平面的数值仿真
3.6 结论
参考文献
第4章 三维集成的混合积分方程建模方法
4.1 引言
4.2 二维积分方程等效电路法
4.2.1 算法概述
4.2.2 功率分配网络内部的模态解耦
4.2.3 电源一地平面中平行板模式的二维积分方程解
4.2.4 传输线模式和平行板模式的组合
4.2.5 等效网络的级联连接
4.2.6 仿真结果
4.3 三维混合积分方程法
4.3.1 算法概述
4.3.2 等效电磁流和并矢格林函数
4.3.3 仿真结果
4.4 结论
参考文献
第5章 基于3D集成的系统级微波网络分析
5.1 多过孔不规则极板的本征过孔电路模型
5.1.1 引言
5.1.2 过孔与极板对的分段
5.1.3 本征三端口过孔电路模型
5.1.4 过孔虚拟边界的确定
5.1.5 不规则极板对上多过孔的完整模型
5.1.6 验证与测量
5.1.7 结论
5.2 平行极板模型
5.2.1 引言
5.2.2 两种常规Zpp定义的概述
5.2.3 基于零阶平行平板波的Zpp新定义
5.2.4 圆形极板对中径向散射矩阵SRpp的解析公式
5.2.5 基于边界积分方程法评估不规则极板对的SRpp
5.2.6 数值实例和测量
5.2.7 结论
5.3 具有多过孔的多层结构级联多端口网络分析
5.3.1 引言
5.3.2 带有过孔和去耦电容的多层PCB
5.3.3 微波网络系统法
5.3.4 验证与讨论
5.3.5 结论
附录：辅助函数Wmn(x，y)的特性
参考文献
第6章 3D集成中的硅通孔建模
6.1 引言
6.1.1 TSV的工艺和制造概述
6.1.2 TSV的建模
6.2 TSV等效电路模型
6.2.1 概述
6.2.2 问题描述：双硅通孔配置
6.2.3 宽带π型等效电路模型
6.2.4 严格的电阻和电感闭合公式
6.2.5 双TSV系统的散射参数
6.2.6 结果与讨论
6.3 硅通孔的金属氧化物半导体电容效应
6.3.1 金属氧化物半导体电容效应
6.3.2 硅通孔中与偏置电压相关的金属氧化物半导体电容
6.3.3 结果与分析
6.4 结论
参考文献
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