电力电子新技术系列图书序言
序
前言
第1章 功率半导体器件基础
1.1 Si功率器件
1.1.1 Si功率二极管
1.1.2 Si功率MOSFET
1.1.3 Si IGBT
1.2 SiC功率器件
1.2.1 SiC半导体材料特性
1.2.2 SiC功率器件发展现状
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第2章 SiC MOSFET参数的解读、测试及应用
2.1 值
2.1.1 击穿电压
2.1.2 热阻抗
2.1.3 耗散功率和漏极电流
2.1.4 安全工作域
2.2 静态特性
2.2.1 传递特性和阈值电压
2.2.2 输出特性和导通电阻
2.2.3 体二极管和第三象限导通特性
2.3 动态特性
2.3.1 结电容
2.3.2 开关特性
2.3.3 栅电荷
2.4 参数测试
2.4.1 I-V特性测试
2.4.2 结电容测试
2.4.3 栅电荷测试
2.4.4 测试设备
2.5 FOM值
2.6 器件建模与仿真
2.7 器件损耗计算
2.7.1 损耗计算方法
2.7.2 仿真软件
参考文献
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第3章 双脉冲测试技术
3.1 功率变换器换流模式
3.2 双脉冲测试基础
3.2.1 双脉冲测试原理
3.2.2 双脉冲测试参数设定
3.2.3 双脉冲测试平台
3.3 测量挑战
3.3.1 示波器
3.3.2 电压探头
3.3.3 电流传感器
3.3.4 时间偏移
3.3.5 寄生参数
3.4 双脉冲测试设备
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第4章 SiC器件与Si器件特性对比
4.1 SiC MOSFET和Si SJ-MOSFET
4.1.1 静态特性
4.1.2 动态特性
4.2 SiC MOSFET和Si IGBT
4.2.1 传递特性
4.2.2 输出特性
4.2.3 动态特性
4.2.4 短路特性
4.3 SiC二极管和Si二极管
4.3.1 导通特性
4.3.2 反向恢复特性
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第5章 高di/dt的影响与应对——关断电压过冲
5.1 关断电压过冲的影响因素
5.2 应对措施1——回路电感控制
5.2.1 回路电感与局部电感
5.2.2 PCB线路电感
5.2.3 器件封装电感
5.3 应对措施2——去耦电容
5.3.1 电容器基本原理
5.3.2 去耦电容基础
5.3.3 小信号模型分析
5.4 应对措施3——降低关断速度
参考文献
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第6章 高dv/dt的影响与应对——crosstalk
6.1 crosstalk基本原理
6.1.1 开通crosstalk
6.1.2 关断crosstalk
6.2 关键影响因素
6.2.1 等效电路分析
6.2.2 实验测试方案与结果
6.3 应对措施1——米勒钳位
6.3.1 晶体管型米勒钳位
6.3.2 IC集成有源米勒钳位
6.4 应对措施2——驱动回路电感控制
6.4.1 驱动回路电感对米勒钳位的影响
6.4.2 封装集成
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第7章 高dv/dt的影响与应对——共模电流
7.1 信号通路共模电流
7.1.1 功率变换器中的共模电流
7.1.2 信号通路共模电流特性
7.2 应对措施1——高CMTI驱动芯片
7.3 应对措施2——高共模阻抗
7.3.1 减小隔离电容
7.3.2 共模电感
7.4 应对措施3——共模电流疏导
7.4.1 Y电容
7.4.2 并行供电
7.4.3 串联式驱动电路
7.5 差模干扰测量
7.5.1 常规电压探头
7.5.2 电源轨探头
参考文献
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第8章 共源极电感的影响与应对
8.1 共源极电感
8.1.1 共源极电感及其影响
8.1.2 开尔文源极封装
8.2 对比测试方案
8.2.1 传统对比测试方案
8.2.2 4-in-4和4-in-3对比测试方案
8.3 对开关过程的影响
8.3.1 开通过程
8.3.2 关断过程
8.3.3 开关能量与dVDS/dt
8.4 对crosstalk的影响
8.4.1 开通crosstalk
8.4.2 关断crosstalk
参考文献
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第9章 驱动电路设计
9.1 驱动电路基础
9.1.1 驱动电路架构与发展
9.1.2 驱动电路各功能模块
9.2 驱动电阻取值
9.3 驱动电压
9.3.1 SiC MOSFET对驱动电压的要求
9.3.2 关断负电压的提供
9.4 驱动级特性的影响
9.4.1 输出峰值电流
9.4.2 BJT和MOSFET电流Boost
9.4.3 米勒斜坡下的驱动能力
9.5 信号隔离传输
9.5.1 隔离方式
9.5.2 安规与绝缘
9.6 短路保护
9.6.1 短路保护的检测方式
9.6.2 DESAT短路保护
参考文献
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