第一篇 物理气相沉积技术
1 真空镀膜技术基础
1.1 真空镀膜技术简介
1.2 真空镀膜系统
1.2.1 真空的获得
1.2.2 真空的测量
1.3 薄膜的表征
1.3.1 薄膜的成分和结构
1.3.2 薄膜的硬度
1.3.3 薄膜的结合力
2 PVD薄膜成膜原理
2.1 等离子体特性
2.1.1 等离子体的基本参量以及等离子体温度
2.1.2 等离子体振荡
2.1.3 等离子体的屏蔽效应及德拜长度
2.1.4 等离子体鞘层与等离子体电位
2.2 凝结过程
2.3 薄膜的形核与生长
2.3.1 自发形核
2.3.2 非自发形核
2.4 连续薄膜的形成
2.5 薄膜的微观结构
3 蒸发镀技术
3.1 蒸发镀原理和蒸发源分类
3.1.1 蒸发镀膜的真空条件
3.1.2 真空镀膜的蒸发条件
3.1.3 蒸发粒子的沉积及薄膜的生长
3.2 电阻蒸发镀技术
3.3 电子束蒸发镀技术
3.4 感应加热蒸发镀技术
4 溅射沉积技术
4.1 溅射原理
4.1.1 能量粒子轰击效应
4.1.2 溅射产额及影响因素
4.1.3 粒子的电荷状态及能量分布
4.1.4 二次电子
4.1.5 辉光放电及原理
4.1.6 辉光放电组成及特性
4.1.7 溅射镀膜过程
4.2 直流溅射
4.3 射频溅射
4.4 磁控溅射
4.4.1 工作原理
4.4.2 不同磁控溅射技术
4.5 高功率脉冲磁控溅射
5 离子镀膜技术
5.1 离子镀技术的概述
5.1.1 离子镀技术的原理
5.1.2 离子镀技术的特点
5.1.3 影响离子镀镀膜技术的因数
5.2 空心阴极离子镀
5.3 电弧离子镀膜
5.3.1 电弧离子镀膜的工作原理
5.3.2 电弧离子镀膜的特点
5.3.3 电弧离子镀镀膜中大颗粒的产生和消除
6 PVD薄膜材料及应用
6.1 硬质薄膜
6.1.1 简单的二元氮化物、碳化物
6.1.2 多元复合过渡金属化合物
6.1.3 纳米多层（复合）超硬膜
6.2 减摩润滑薄膜
6.2.1 含碳类薄膜
6.2.2 MoS2薄膜
6.3 耐腐蚀薄膜
6.4 光电磁功能薄膜
6.4.1 光学薄膜
6.4.2 电学薄膜
6.4.3 磁性薄膜
第一篇参考文献
第二篇 化学气相沉积（CVD）技术
7 CVD技术基础
7.1 CVD技术的发展历程
7.2 CVD薄膜沉积反应类型
7.3 CVD薄膜生长热力学与动力学
7.3.1 CVD的生长热力学
7.3.2 CVD的生长动力学
8 热CVD及等离子体增强CVD技术
8.1 热CVD技术
8.1.1 热CvD技术原理及特征
8.1.2 热CVD系统
8.2 等离子体增强CVD技术（PECVD）
8.2.1 等离子体的基本概念和性质
8.2.2 等离子体的产生方法和原理
8.2.3 PECVD沉积原理
8.2.4 PECVD技术特点及发展趋势
8.2.5 PECVD技术分类
9 反应活化扩散CVD技术
9.1 反应活化扩散CVD技术的原理
9.1.1 反应活化扩散层形成的条件
9.1.2 反应活化扩散层形成机理
9.1.3 渗层的组织特征
9.2 反应活化扩散CVD技术的分类
9.3 反应活化扩散CVD技术的应用
9.3.1 碳元素反应活化扩散
9.3.2 氮元素反应活化扩散
9.3.3 硼元素反应活化扩散
9.3.4 硅元素反应活化扩散
9.3.5 硫元素反应活化扩散
9.3.6 金属元素反应活化扩散
10 其他CVD沉积技术
10.1 原子层沉积技术（ALD）
10.1.1 原子层沉积背景
10.1.2 原子层沉积工作原理
10.1.3 原子层沉积的特征
10.1.4 原子层沉积优势
10.1.5 原子层沉积的材料种类以及应用领域
10.2 激光辅助CVD
10.2.1 LACVD沉积原理
10.2.2 LACVD成膜特点
10.2.3 LACVD沉积工艺参数
10.2.4 LACVD的应用
10.3 有机金属CVD（MOCVD）
10.3.1 MOCVD设备结构
lO.3.2 MOCVD生长原理
10.3.3 MOCVD技术特点
10.4 大气等离子体CVD技术
10.4.1 大气等离子体生成特点
10.4.2 AP-PECVD沉积技术分类
10.4.3 AP-PECVD沉积技术特点
11 CVD涂层材料及应用
11.1 CVD金属涂层
11.1.1 金属镍涂层
11.1.2 贵金属涂层
11.2 CVD硬质防护涂层
11.2.1 CVD金刚石涂层
11.2.2 Ti基碳化物及氮化物涂层
11.2.3 c-BN涂层
11.2.4 SiC及Si3N4涂层
lI.3 CVD功能化涂层
11.3.1 CVD聚合物涂层
1I.3.2 CVD防腐抗氧化涂层
11.3.3 CVD光电涂层
11.3.4 石墨烯涂层
第二篇参考文献
展开
