作者William W. Sheng博士和Ronald P Colino博士均是Smart Relay Technology公司的创始人，并曾分别担任此公司技术副总裁和公司总裁。他们都曾在通用电气公司工作并担任半导体技术相关部门经理。William W Sheng博士已在电子行业工作超过25年，一直从事固态继电器和功率半导体技术的研究，曾获得通用电气公司的技术发明奖，已发表许多学术论文并拥有多项专利。Ronald P Colino博士主要从事固态继电器、混合集成电路、MOS集成电路和半导体存储器的设计和市场营销，在集成电路方面也拥有多项专利。

　　《电力电子模块设计与制造》介绍了功率半导体模块的结构设计和关键材料，材料部分涵盖了当前功率半导体模块中使用的各种类型材料，包括连接材料、基板材料、底板材料、灌封材料、外壳材料和引线端子材料等。此外，《电力电子模块设计与制造》还包含了制造工艺、测试技术、质量控制和可靠性失效机理分析。《电力电子模块设计与制造》内容新颖，紧跟时代发展，重点围绕IGBT模块产品的设计与制造方面展开介绍，同时还综述了IGBT模块的新研究进展。《电力电子模块设计与制造》的读者对象包括在校学生、功率半导体模块设计、封装、制造、测试和电力电子集成应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。《电力电子模块设计与制造》适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书，也可用作电力电子器件封装应用学术界和广大的功率半导体模块生产企业的工程技术人员的参考书。

译者序
原书前言
第1章功率模块概述1
参考文献4
第2章功率模块材料选择要点5
参考文献6
第3章材料7
3.1绝缘衬底和金属化7
3.1.1衬底材料的选择标准7
3.1.2绝缘衬底列表8
3.1.3绝缘衬底材料的选择14
3.1.4绝缘衬底表面金属化19
3.1.5金属化的种类19
3.1.6供货商25
参考文献28
3.2底板29
3.2.1选择标准29
3.2.2底板材料30
3.2.3可用底板材料概述30
3.2.4产品成本36
3.2.5适用的底板/衬底材料表36
参考文献37
3.3连接材料37
3.3.1压接式互连37
3.3.2连接材料互连详述38
3.3.3焊料的选择标准39
3.3.4无铅焊料50
3.3.5焊锡膏的组成53
3.3.6生产、工艺和设备条件53
参考文献55
3.4功率互连与功率端子55
3.4.1功率端子56
参考文献60
3.5灌封材料60
3.5.1选择标准60
3.5.2选择方法61
3.5.3灌封材料简述61
3.5.4制造方案65
3.5.5供货商66
3.5.6供应商产品特点66
参考文献72
3.6塑料管壳和端盖72
参考文献78
3.7功率半导体芯片78
3.7.1IGBT芯片78
3.7.2FRED芯片85
参考文献87
第4章IGBT功率模块制造88
4.1制造工艺88
4.1.1IGBT芯片的分类与归组90
4.1.2材料清洗92
4.1.3焊接互连102
4.1.4功率端子互连114
4.1.5电气和热学测试122
参考文献136
4.2工艺控制与可靠性137
4.2.1工艺控制137
4.2.2测试设备138
4.2.3过程检测139
4.2.4长期可靠性147
参考文献155
4.3制造设备与耗材156
4.3.1ESD157
4.3.2去离子水159
4.3.3焊接工艺气氛159
4.3.4化学试剂159
4.3.5电力供应159
4.3.6相对湿度159
4.3.7气流和压差159
4.3.8环境颗粒物含量159
4.3.9贮存柜160
4.3.10洁净间及配套设施160
4.3.11安全标准160
4.3.12环境要求161
参考文献162
4.4生产工艺流程图162
4.4.1标准生产工艺162
4.4.2其他生产工艺172
第5章功率模块设计173
5.1热管理设计175
5.1.1模块的叠层结构设计175
5.1.2热导率分析176
5.1.3热应力分析177
参考文献179
5.2电路分区180
5.2.1芯片和绝缘衬底间的热应力180
5.2.2绝缘衬底尺寸分析182
5.2.3IGBT芯片并联技术183
5.2.4成本核算183
参考文献184
5.3模块整体设计指南与规范184
5.3.1陶瓷材料用作绝缘衬底的设计184
5.3.2陶瓷材料用作绝缘衬底的金属化图案布局185
5.3.3金属底板设计190
5.3.4功率端子/快接导片/互连桥设计191
5.3.5塑料管壳和端盖设计194
5.3.6焊片设计197
参考文献197
5.4实例197
5.4.1生产成本估算197
5.4.2备选方案的理论值比较198
5.4.3模块试制的散热性能198
参考文献218
附录219
附录A功率模块中的功率ＭＯＳＦＥＴ、晶闸管和二极管219
附录B条形码和二维码221