光泵浦面发射半导体激光器是一种新型的半导体激光器，它兼有常规电泵浦边发射和面发射半导体激光器的优点，具有输出功率高、光束质量好、转换效率高、光谱调谐范围宽、输出波长覆盖紫外到中红外波段等突出优势，已经成为当前国际研究的热点之一。《光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术》针对光泵浦面发射半导体激光器的设计理论、制备工艺及输出特性展开了详尽介绍，内容包括半导体增益介质芯片设计与外延生长、芯片封装制备工艺、芯片的热特性、激光器输出特性及其调制特性等。

第1章 引论
1．1 研究意义
1．2 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的发展历程与研究现状
1．3 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的基本原理、结构与材料体系
1．4 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的应用
参考文献

第2章 半导体激光泵浦源技术
2．1 半导体激光器简介
2．2 半导体激光器工作原理
2．3 半导体激光器的工作特性
2．4 半导体激光器的典型封装结构
2．5 半导体激光束泵浦整形技术
参考文献

第3章 半导体增益介质的设计与制备
3．1 基本理论
3．2 半导体增益介质结构设计
3．3 半导体增益介质外延片的生长与测试
3．4 几种典型的半导体增益介质结构
参考文献

第4章 半导体增益介质外延片的后工艺处理
4．1 半导体增益介质外延片衬底减薄工艺研究
4．2 半导体增益介质芯片抛光工艺研究
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