《一维ZnO纳米线及其气敏特性》以一维ZnO纳米线的气敏特性为基础，系统地分析ZnO的基本性质、ZnO纳米线的制备工艺、ZnO纳米线的生长机制、ZnO纳米线的内部掺杂、表面修饰与气敏性能的关系、ZnO纳米线与有机导电聚合物的复合与气敏性能的关系，将这些基本理论和基本特性应用于ZnO纳米线对混合气体中气体种类和气体浓度的识别，利用第一性原理计算建立Ga掺杂的ZnO晶体模型，研究Ga掺杂对ZnO晶体结构和电子结构的影响，在此基础上，建立完整的气敏机理模型，为进一步开发新型气敏材料提供理论指导。
　　《一维ZnO纳米线及其气敏特性》可作为高等院校材料、物理、化学及相关专业的本科生和研究生教材也可供从事一维ZnO纳米材料和气敏传感器研究工作的科研人员使用。

　　《一维ZnO纳米线及其气敏特性》：
　　这种形貌的Zn0纳米线从形状上来说具有较大的长径比，但是较大的密度将带来较大的屏蔽效应，因此这种形貌的Zn0纳米线不适宜用作场发射材料，但可用作气敏材料。将颗粒状的产物进行放大，如图2.2.5（c）所示，可以发现颗粒状产物为ZnO纳米棒，而且不但有分散的纳米棒，还有纳米棒聚在一起形成的球状物。对图2.2.5（c）进一步高倍放大，可以看到Zn0纳米棒的端面为规则的六角形平面，且直径沿长度方向无变化，其长度为100—150nm，平均直径为50nm，因此，该形貌的ZnO纳米棒的长径比不大，无尖锥状结构，不适宜作场发射材料。图2.2.5（e）为利用硅衬底上镀金得到的ZnO纳米线，由图2.2.5（e）可见，ZnO纳米线为分立的单根状，未呈现定向生长，而是杂乱无章的平铺在衬底表面，同时可以看到ZnO纳米线的尖端存在球形小颗粒，表明ZnO纳米线的生长为典型的VLS生长机制。图2.2.5（f）是以铁丝网为衬底得到的ZnO纳米线，很明显，ZnO纳米线呈钉子状，在每根纳米线的端部都有一个直径较大的圆形“钉帽”，这种纳米线的生长机制也是典型的VLS生长机制。因此，简单的采用上述催化剂，并没有达到定向生长的ZnO纳米线。
　　4.利用ZnS粉作为原料制备ZnO纳米线
　　用ZnS粉末作为原料制备纳米线时，蒸发温度为1000℃，氩气流量为lOOdm3／min，反应气体为空气，保温2h关机。取原料上方的白色物质作SEM观察，SEM照片如图2.2.6所示，可以看见有大量的纳米线和纳米棒生成。图2.2.6（a）是ZnO纳米线的SEM图像。由图2.2.6（a）可见，ZnO纳米线交错生长，直径约为60nm。
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第1章 气敏传感器概述
1.1 气敏传感器简介
1.2 金属氧化物气敏传感器的结构分类
1.3 金属氧化物气敏传感器的膜厚分类与特点
1.4 金属氧化物气敏传感器的加热方式分类与特点
1.5 半导体金属氧化物的气敏机理研究
1.5.1 离子吸附模型
1.5.2 多孔膜模型和致密膜模型
1.5.3 气敏机理通式
1.6 掺杂理论
1.6.1 内部掺杂
1.6.2 外部掺杂
1.7 气体传感器的发展趋势
1.7.1 新型气敏材料的探索与开发
1.7.2 对现有材料的改进
1.7.3 气体传感器的微型化、智能化和防尘化.
1.7.4 加强气敏机理的研究
1.7.5 气敏元件的多品种化、低功耗和常温化.
1.7.6 基础研究日趋活跃
1.7.7 纳米材料的应用
参考文献

第2章 zno纳米线的制备与表征
2.1 Zn0简介
2.1.1 zn0的结构
2.1.2 Zno应用前景
2.2 物理热蒸发法制备Zno纳米线
2.2.1 工艺设备
2.2.2 制备工艺过程
2.2.3 设备及ZnO纳米线
2.2.4 工艺参数的影响
2.2.5 透射电子显微镜（TEM）表征
2.2.6 ZnO纳米线的生长机制分析
2.2.7 X射线衍射
2.3 Al2O3模板法制备ZnO纳米线
2.3.1 工艺流程
2.3.2 电化学抛光后的铝箔表面形貌分析
2.3.3 Al2O3模板的FESEM图及XRD图
2.3.4 ZnO纳米线的FESEM图及EDX图
2.3.5 多孔氧化铝膜的形成机理
2.3.6 模板法沉积ZnO纳米线的机理分析
参考文献

第3章 纯ZnO纳米线的气敏特性
3.1 气体传感器的制备
3.2 气敏元件的制备工艺流程
3.3 元件的气敏性能测试方法
3.3.1 元件的气敏性能测试装置与原理
3.3.2 气敏元件的测试方法
3.3.3 气敏元件的主要性能参数及其计算公式
3.4 纯ZnO纳米线的气敏性能
3.4.1 ZnO气敏基料的制备
3.4.2 不同烧结温度下ZnO纳米线的形貌图
3.4.3 烧结温度对ZnO纳米线乙醇蒸气性能的影响
3.5 气敏机理与影响因素
3.5.1 气敏机理探讨
3.5.2 ZnO纳米线对乙醇的气敏机理
3.5.3 影响气敏机理的主要因素
参考文献

第4章 金属掺杂及表面修饰ZnO纳米线的气敏特性
4.1 ZnO纳米线表面修饰Ag纳米颗粒的气敏性能
4.1.1 Ag纳米颗粒表面修饰ZnO纳米线的制备
4.1.2 Ag纳米颗粒表面修饰ZnO纳米线的表面形貌图
4.1.3 Ag纳米颗粒修饰的ZnO纳米线的xRD图
4.1.4 Ag纳米颗粒修饰对ZnO纳米线的气敏特性的影响
4.2 其他元素掺杂对ZnO纳米线气敏性能的影响
4.2.1 元素掺杂ZnO纳米线的制备
4.2.2 其他元素掺杂对ZnO纳米线温度一灵敏度曲线
4.2.3 元素掺杂的ZnO纳米线对乙醇蒸气的响应一恢复特性
4.2.4 元素掺杂的ZnO纳米线的XRD图
4.2.5 紫光激发对Ag纳米颗粒修饰ZnO纳米线气敏性能的影响
4.2.6 紫光激发对ZnO纳米线气敏性能提高的原因分析
4.3 掺杂提高气体灵敏度的机理分析
4.3.1 掺杂提高气体灵敏度的基本原理
4.3.2 稀土氧化物掺杂提高ZnO纳米线气体灵敏度的原因分析
4.3.3 金属掺杂提高ZnO纳米线气体灵敏度的原因分析
4.3.4 Ag纳米颗粒修饰对提高ZnO纳米线气敏元件电阻的原因分析
4.3.5 Ag纳米颗粒修饰对提高ZnO纳米线气敏元件乙醇灵敏度的原因分析
4.3.6 不同掺杂对提高ZnO纳米线对不同气体灵敏度的选择性分析
参考文献

第5章 有机导电材料与ZnO纳米线复合的气敏特性
5.1 导电高分子简介
5.2 聚苯胺简介
5.2.1 聚苯胺的合成
5.2.2 聚苯胺的聚合机理
5.2.3 聚苯胺的导电机理及气敏机理
5.3 聚苯胺的制备
5.3.1 聚苯胺的制备工艺
5.3.2 制备聚苯胺与氧化锌的复合材料
5.3.3 聚苯胺的表征
5.3.4 工艺参数对纯聚苯胺NH，气体灵敏度的影响
5.4 工艺参数对于聚苯胺一氧化锌复合材料NH，气敏性能的影响
5.4.1 目标气体浓度的影响
5.4.2 复合材料的复合比例的影响
5.4.3 工作温度的影响
5.4.4 复合材料的响应一恢复性能
参考文献

第6章 ZnO纳米线气敏传感器对气体的识别
6.1 气体的识别检测
6.1.1 气体识别检测简介
6.1.2 气体识别检测技术的发展
6.2 ZnO纳米线气敏元件对气体种类的判别
6.2.1 ZnO纳米线气敏元件阵列
6.2.2 识别气体种类的最近邻域法
6.2.3 ZnO纳米线气敏元件阵列对单一样气的测试和识别
6.2.4 ZnO纳米线气敏元件阵列对混合气体的识别
6.3 ZnO纳米线气敏元件对气体浓度的初步判定
6.3.1 利用ZnO纳米线气敏元件对气体浓度进行判定的机理
6.3.2 利用ZnO纳米线气敏元件性能与测试气体浓度关系曲线的拟合方程对气体浓度进行判定
6.4 基于神经网络的纳米ZnO气敏传感器阵列的气体识别
6.4.1 人工神经网络简介
6.4.2 纳米ZnO基气敏传感器阵列的构建
6.4.3 基于BP神经网络对目标混合气体种类的识别
6.4.4 气体种类的识别
6.4.5 相对浓度高低的识别
参考文献

第7章 Ga掺杂改性ZnO的第一性原理计算
7.1 计算材料学方法简介
7.2 第一性原理简述
7.2.1 密度泛函理论的简述
7.2.2 CAsTEP简介
7.2.3 赝势平面波方法
7.2.4 结构优化
7.3 计算方法和理论模型
7.3.1 计算方法
7.3.2 理论模型
7.4 Ga掺杂ZnO的晶体结构和电子结构
7.4.1 Ga掺杂ZnO的晶格结构
7.4.2 形成能的计算
7.4.3 Ga掺杂ZnO电子结构
7.5 Ga掺杂ZnO的气敏机理
7.5.1 吸附机理
7.5.2 理论模型和计算方法
7.5.3 本征ZnO对CO的气敏机理
7.5.4 Ga掺杂ZnO对CO的气敏机理
参考文献