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书       名 :
著       者 :
出  版  社 :
I  S  B  N:
文献来源:
出版时间 :
基于片上去耦电容的配电网络
0.00    
图书来源: 浙江图书馆(由图书馆配书)
  • 配送范围:
    全国(除港澳台地区)
  • ISBN:
    9787111449294
  • 作      者:
    (以色列)Renatas Jakushokas[等]著
  • 出 版 社 :
    机械工业出版社
  • 出版日期:
    2014
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作者简介
Renatas Jakushokas,出生于立陶宛考纳斯。2005年,他从以色列卡梅尔的0RT-Bmude学院获得了电气工程理学学士学位。2007年,获得纽约罗切斯特市的罗切斯特大学电气和计算机工程硕士学位。目前他是罗切斯特大学电气和计算机工程专业在读博士生。 2006年,他曾在纽约州费尔波特的In-trinsix公司实习,研究∑-△ADC。2007年的夏天,他在纽约州罗切斯特的伊士曼柯达公司实习,2007年他在那里为高性能ADC设计了一个高速、高精度的比较器。2008年夏天,他在亚利桑那州坦佩市的飞思卡尔半导体公司从事开发噪声耦合估算计算器,这种计算器可以有效地评估不同衬底隔离技术。他研究的兴趣是在配电、噪声评估、信号完整性、衬底建模/分析和优化技术、高性能集成电路设计等领域。 Mikhail Popovich,1975年生于俄罗斯的伊热夫斯克。1998年,他取得俄罗斯伊热夫斯克伊热夫斯克国立技术大学的电气工程学士学位。2002年和2007年,他分别获得纽约州罗切斯特市罗切斯特大学的电气和计算机工程的硕士和博士学位。2005年夏天,他在亚利桑那州坦佩市的飞思卡尔半导体公司实习。他在那里从事射频和混合信号IC的信号完整性研究,并开发了片上分布去耦电容布局的设计技术和方法。他的专业经验也包括为纽约州罗切斯特市伊士曼柯达公司从事挖掘CMOS成像电路的村底和互连串扰噪声的特性。他曾撰写了一些会议和期刊论文,关于CMOS超大规模集成电路的配电网络、片上去耩电容的布局以及片上互连的电感特性等领域。他持有一项美国专利,并撰写了一本关于片上配电网络的书。2007年,Mikhail入职高通公司,从事于配电网络、电源和信号完整性、低功耗技术以及考虑片上电感效应、噪声耦合和片上去耦电容布局的互连线设计。 2005年,Popovich先生在ACM(计算机协会)大湖专题讨论会中获得了VLSI(超大规模集成电路)领域的最佳研究论文奖。2007年,获得半导体研究公司GRC发明家奖。 Andrey V.Mezhiba,1996年毕业于莫斯科物理与技术研究所,获得物理学文凭。他在罗切斯特大学继续他的研究,于2004年获得电气和计算机工程学博士学位。Andrey的博士研究方向是配电网络、片上电感、电路耦合和信号完整性。Andrey现在就职于Intel公司,研究纳米级别CMOS工艺中的低电压模拟和混合信号电路设计。 Selcuk Kose,2006年获得土耳其安卡拉市的比尔肯大学的电气和电子工程理学学士学位,2008年获得纽约州罗切斯特大学电气和计算机工程硕士学位。目前他正在攻读电气工程博士学位。 2006年,他在土耳其安卡拉巿的科学和技术研究理事会(TUBiTAK)的超大规模集成电路设计中心担任低功耗集成电路方面的兼职工程师。2007年和2008年夏天,他在加利福尼亚州圣克拉拉的Intel公司微处理器部门的中央技术和特殊电路团队负责时钟网络中的部分模块的功能验证,包括相位补偿模块和对参考时钟分布网络的优化。2010年夏季,他在亚利桑那州的飞思卡尔半导体公司的射频(RF)、模拟和传感器组实习,在那里他研发出了降低电磁辐射的设计技术和方法论。目前他的研究兴趣包括:高性能集成电路的分析和设计、单片DC-DC转换器和互连相关问题,特别是电源和时钟分配网络的设计和分析。 Eby G.Friedman,1979年获得拉斐特学院的理学学士学位,1981年和1989年,分别获得加州大学欧文分校的硕士和博士学位,都是电子工程方向。 从1979年到1991年,他工作于休斯飞机公司,职位提升到信号处理设计和测试部经理,负责设计和测试高性能的数字和模拟集成电路。自1991年以来,他一直在罗切斯特大学的电气和计算机工程系,在那里他是一位杰出教授并且是高性能VBI/IC设计与分析实验室的主任。他也是以色列理工大学技术研究中心的客座教授。他目前的研究和教学兴趣是高速便携式处理器和低功粍无线通信中的高性能同步数字和混合信号微电子的设计和分析。 他撰写了约400篇论文和书籍章节并拥有多项专利,总共有13本著作,领域涉及高速低功粍CMOS设计技术、高速互连以及同步时钟和配电网络的理论与应用。Friedman博士是电路、系统和计算机期刊的区域编辑,模拟集成电路和信号处理、微电子期刊、低功耗电子期刊、低功耗电子和应用程序期刊以及VLSI信号处理期刊的编委成员,超大规模集成电路(VLSI)系统指导委员会的IEEE(美国电气电子工程师学会)汇刊的主席,以及一些会议的技术方案委员会的成员。此前,他是超大规模集成电路(VLSI)系统的IEEE汇刊主编、IEEE会议和有关电路与系统II:模拟和数字信号处理方面IEEE汇刊的编委会成员、电路与系统(CAS)学会理事会的成员、社会理事会的成员、多个IEEE会议的计划和技术主席,罗切斯特大学研究生教学奖和工程学院教学卓越奖的评委。Friedman博士是一名资深的富布赖特学者和IEEE会士。
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内容介绍

  《国际信息工程先进技术译丛:基于片上去耦电容的配电网络(原书第2版)》主要介绍了高性能超大规模集成电路中配电网络的设计和研究方法,详细分析了片上电源分布网络的各个方面。针对配电系统及其相关的设计难点提出了清晰、有效的解决方法,包括电路网络建模方法和片上去耦电容布局技术。此外,对于片上配电系统的特性行为和设计方法,本书也具有深刻的见解和清晰的表述。本书专业理论性较强,由点及面,由浅入深,在科研领域和工业领域都具有很高的参考价值。本书不仅适用于集成电路物理设计工程师,还可作为集成电路配电网络专题研究人员及相关专业师生的参考书。

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目录

原书第1版前言
关于作者
第1部分  一般性背景
第1章  概述
1.1  集成电路技术的发展
1.2  设计目标的发展
1.3  配电的问题
1.4  配电噪声的不利影响
1.4.1  信号延时的不确定性
1.4.2  片上时钟抖动
1.4.3  噪声裕度降低
1.4.4  栅氧化层可靠性的降低
1.5  小结
第2章  电路的感性特性
2.1  电感的定义
2.1.1  场能量的定义
2.1.2  磁通量的定义
2.1.3  局部电感
2.1.4  网电感
2.2  电感随频率的变化
2.2.1  均匀电路密度假定
2.2.2  电感变化机制
2.2.3  电路简化模型
2.3  电路的感性行为
2.4  片上互连线的电感特性
2.5  小结
第3章  片上感性电流回路的特性
3.1  简介
3.2  电感与线长的关系
3.3  两个并行回路段的感性耦合
3.4  电路分析的应用
3.5  小结
第4章  电迁移
4.1  电迁移的物理机制
4.2  电迁移引起的机械应力
4.3  电迁移损害的稳态限制
4.4  电迁移寿命与互连线尺寸的关系
4.5  电迁移寿命的统计分布
4.6在交流电流下的电迁移寿命
4.7铝和铜互连工艺的比较
4.8电迁移可靠性设计
4.9小结
第5章  去耦电容
5.1  去耦电容简介
5.1.1  历史回顾
5.1.2  去耦电容当作电荷的蓄水池
5.1.3  去耦电容的现实模型
5.2  带去耦电容的配电网络的阻抗
5.2.1  配电系统的目标阻抗
5.2.2  反共振
5.2.3  去耦电容结构化分布的水力学类比
5.3  固有和策划的片上去耦电容
5.3.1  固有去耦电容
5.3.2  策划去耦电容
5.4  片上去耦电容的类型
5.4.1  PIP电容
5.4.2  MOS电容
5.4.3  MIM电容
5.4.4  侧面通量电容
5.4.5  不同片上去耦电容的对比
5.5  片上开关稳压器
5.6小结
第6章  片上电源分配噪声的缩减趋势
6.1  缩减模型
6.2  互连特性
6.2.1  全局互连特性
6.2.2  网格电感的缩减
6.2.3  倒装芯片封装特性
6.2.4  片上电容的影响
6.3  电源噪声模型
6.4  电源噪声缩减
6.4.1  恒定金属厚度方案分析
6.4.2  缩减金属厚度方案分析
6.4.3  电源噪声的ITRS缩减
6.5  噪声缩减的含义
6.6小结
第7章  第1部分  小结
第2部分  电源系统设计
第8章  高性能配电系统
8.1  配电网络的物理结构
8.2  配电系统的电路模型
8.3  配电系统的输出阻抗
8.4  带有一个去耦电容的配电系统
8.4.1  阻抗特性
8.4.2  单层去耦方案的局限
8.5  去耦电容的层次化布局
8.6配电网络中的谐振
8.7全阻抗补偿
8.8实例分析
8.9设计依据
8.9.1  去耦电容器电感
8.9.2  互连线电感
8.1  0一维电路模型的局限性
8.1  1小结
第9章  片上配电网络
9.1  片上配电网络的类型
9.1.1  片上配电网络的基本结构
9.1.2  提高片上配电网络的阻抗特性
9.1.3  阿尔法微处理器中配电网络的演化史
9.2  裸片封装接口
9.3  其他考虑
9.4  小结
第10章  计算机辅助设计与分析
10.1  片上配电网络的设计流程
10.2  配电网络的线性分析
10.3  配电网络的建模
10.4  表征片上电路的电源电流需求
10.5  配电网络分析的计算方法
10.6片上去耦电容器的分配
10.6.1  基于电荷的分配方法
10.6.2  基于过噪声幅度的分配策略
10.6.3  基于过电荷的分配策略
10.7小结
第11章  快速电压降分析的闭式表达式
11.1  FAIR的背景
11.2  对电压降分析的解析
11.2.1  单电源和单电流负载
11.2.2  单电源和多电流负载
11.2.3  多电源和单电流负载
11.2.4  多电源和多电流负载
11.3  电源网格分析的局部性
11.3.1  电源网格中的空间局部性原理
11.3.2  空间局部性对计算复杂度的影响
11.3.3  在FAIR中利用空间局部性
11.3.4  误差修正窗
11.4  实验结果
11.5  小结
第12章  第2部分  小结
第3部分  配电网络中的噪声
第13章  片上配电网格的电感特性
13.1  输电电路
13.2  仿真设定
13.3  网格类型
13.4  电感与线宽的关系
13.5  网格类型对电感的影响
13.5.1  非交叉指型网格与交叉指型网格的比较
13.5.2  配对型网格与交叉指型网格的比较
13.6影响电感的网格尺寸
13.6.1  影响电感的网格宽度
13.6.2  影响电感的网格长度
13.6.3  电网的方块电感
13.6.4  网格电感的高效计算方法
13.7小结
第14章  网格电感随频率的变化特性
14.1  分析步骤
14.2  电感变化特性的探讨
14.2.1  电路模型
14.2.2  对电感变化特性的分析
14.3  小结
第15章  电感、面积和电阻之间的折衷
15.1  在网格面积不变的约束下电感与电阻的折衷
15.2  在网格电阻不变的约束下电感与面积的折衷
15.3  小结
第16章  交叉指型电源/地分布网络的电感模型
16.1  4对型基本结构
16.2  含有大量交叉指对的电源/地分布网络
16.3  比较与讨论
16.4  小结
第17章  片上电源噪声抑制技术
17.1  添加片上低噪声地来抑制地噪声
17.2  决定地弹抑制的系统参数
17.2.1  噪声电路和噪声敏感电路之间的物理距离
17.2.2  频率和电容的变化
17.2.3  额外接地通路的阻抗
17.3  小结
第18章  片上配电网络中噪声的影响
18.1  芯片封装共振中的尺度效应
18.2  配电噪声的传播
18.3  局部电感特性
18.4  小结
第19章  第3部分小结
第4部分  片上去耦电容器的布局
第20章  片上去耦电容器的有效半径
20.1  背景
20.2  基于目标阻抗的片上去耦电容器有效半径
20.3  估算所需的片上去耦电容值
20.3.1  电阻性噪声主导
20.3.2  电感性噪声主导
20.3.3  连线的临界长度
20.4  由充电时间决定的有效半径
20.5  针对片上去耦电容器布局的设计方法
20.6  片上配电网络模型
20.7  实例分析
20.8  设计意义
20.9  小结
第21章  分布式片上去耦电容器的有效布局
21.1  工艺约束
21.2  在纳米级IC中片上去耦电容器的布局
21.3  分布式片上去耦电容网络的设计
21.4  分布式片上去耦电容网络中的设计折衷
21.4.1  关于R1系统参数的决定因素
21.4.2  C1最小值
21.4.3  片上去耦电容总预算的最小值
21.5  分布式片上去耦电容器系统的设计方法
21.6  实例分析
21.7  小结
第22章  分布式片上电源和去耦电容器的协同设计
22.1  问题的出现
22.2  电源和去耦电容器的协同布局
22.3  实例分析
22.4  小结
第23章  第4部分  小结
第5部分  多层配电网络
第24章  多层电网的阻抗特性
24.1  多层网格的电气特性
24.1.1  单层网格的阻抗特性
24.1.2  多层网格的阻抗特性
24.2  双层网格的实例研究
24.2.1  仿真设置
24.2.2  网格层之间的电感耦合
24.2.3  双层网格的电感参数
24.2.4  双层网格的电阻参数
24.2.5  在双层网格中阻抗随频率的变化量
24.3  设计意义
24.4  小结
第25章  多层交叉指型配电网络
25.1  单金属层特性
25.1.1  使阻抗最小的最优宽度
25.1.2  最优线宽的特性
25.2  多层优化
25.2.1  第一种方案--等电流密度
25.2.2  第二种方案--最小阻抗
25.3  探讨
25.3.1  比较
25.3.2  布通率
25.3.3  忠实度
25.3.4  临界频率
25.4  小结
第26章  第5部分小结
第6部分  多电压电源网络系统
第27章  多片上电源系统
27.1  多电源电压IC
27.1.1  多电源电压技术
27.1.2  CVS
27.1.3  ECVS
27.2  多电源电压IC的挑战
27.2.1  芯片面积
27.2.2  功耗
27.2.3  设计复杂度
27.2.4  布局和布线
27.3  有效电源电压的最佳数目和量值
27.4  小结
第28章  多供电电压的片上配电网格
28.1  背景
28.2  仿真建立
28.3  双电压双地配电网格
28.4  DSDG交叉指型网格
28.4.1  I型DSDG交叉指型网格
28.4.2  II型DSDG交叉指型网格
28.5  DSDG配对网格
28.5.1  I型DSDG配对网格
28.5.2  II型DSDG配对网格
28.6 仿真结果
28.6.1  无去耦电容的交叉指型配电网格
28.6.2  无去耦电容的配对配电网格
28.6.3  具有去耦电容的配电网格
28.6.4  电源噪声随电流负载开关频率变化的关系
28.7  设计意义
28.8  小结
第29章  多电压配电系统的去耦电容
29.1  配电系统的阻抗
29.1.1  配电系统的阻抗介绍
29.1.2  并联电容的反共振
29.1.3  配电系统参数对阻抗的影响
29.2  配电系统阻抗的实例研究
29.3  配电系统的电压传输函数
29.3.1  配电系统的电压传输函数介绍
29.3.2  电压传输函数随配电系统参数变化的关系
29.4  配电系统电压响应的实例研究
29.4.1  电压传输函数的无过冲值
29.4.2  值和频率范围间的折衷
29.5  小结
第30章  第6部分小结
第7部分  综述与附加材料
结束语
附录
附录A  交叉指型P/G网络初始最佳宽度的估计
附录B  多层交叉指型配电网络的首要优化方法
附录C  多层交叉指型配电网络的次要优化方法
附录D  DSDG完全交叉指型配电网格的回路互感
附录E  DSDG伪交叉指型配电网格的回路互感
附录F  DSDG完全配对配电网格的回路互感
附录G  DSDG伪配对配电网格的回路互感
参考文献

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