场发射冷阴极在显示技术、微波能源及高频电子等方面具有十分重要的应用。《纳米半导体场发射冷阴极理论与实验》基于作者多年来在纳米半导体场发射冷阴极方面的工作积累,对该领域的发展历程、理论基础、设计模型与制备性能进行了系统的介绍与讨论,期望为新型纳米半导体场发射冷阴极研发与器件应用提供指导与参考。
《纳米半导体场发射冷阴极理论与实验》主要包括以下内容:半导体场发射理论模型及其在纳米体系下的场发射理论模型的适用性问题;半导体量子结构增强场发射基本原理与思想;从实验与理论两方面系统探讨了不同的量子结构(晶轴取向、膜厚膜层、组分搭配、掺杂浓度及表面处理等)半导体薄膜的场电子发射特性、场发射耦合增强物理机制及其能谱特性。最后,对纳米半导体场发射冷阴极器件的发展与应用进行了展望。
《纳米半导体场发射冷阴极理论与实验》主要面向半导体材料、凝聚态物理与真空电子学方向的高年级本科生与研究生,也可供真空电子学、半导体纳米材料、凝聚态理论、量子物理等领域的研究者参考。
展开